[发明专利]一种纳米级金属化膜大气腐蚀测量装置及方法有效
申请号: | 202111159589.6 | 申请日: | 2021-09-30 |
公开(公告)号: | CN113916767B | 公开(公告)日: | 2022-09-16 |
发明(设计)人: | 李化;邱天;林福昌;李征;张钦;王燕 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G01N17/02 | 分类号: | G01N17/02 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 祝丹晴 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 金属化 大气 腐蚀 测量 装置 方法 | ||
1.一种纳米级金属化膜大气腐蚀测量装置,其特征在于,包括:恒温恒湿箱、固定模块、电阻测量模块和控制模块;
其中,所述固定模块包括绝缘板和贴片电极;待测纳米级金属化膜平贴在所述绝缘板上;所述贴片电极分别紧贴放置在所述待测纳米级金属化膜的两端上;所述贴片电极与所述待测纳米级金属化膜的接触部分涂有导电银胶;所述待测纳米级金属化膜的两端分别通过对应的贴片电极与导线相连;
所述固定模块放置在所述恒温恒湿箱中,并通过所述导线延伸至所述恒温恒湿箱之外,与所述电阻测量模块相连;
所述电阻测量模块用于测量待测纳米级金属化膜的电阻;
所述控制模块用于控制所述电阻测量模块每隔预设时间间隔,测量恒温恒湿环境下所述待测纳米级金属化膜的电阻,得到所述待测纳米级金属化膜不同采样时刻下的电阻值,并转化为所述待测纳米级金属化膜不同采样时刻下的氧化度,得到待测纳米级金属化膜的氧化度随时间的变化曲线;
所述控制模块用于在得到所述待测纳米级金属化膜不同采样时刻下的电阻值后,对所述待测纳米级金属化膜不同采样时刻下的电阻值进行归一化处理,并分别将归一化后的所述待测纳米级金属化膜不同采样时刻下的电阻值转化为其氧化度,得到所述待测纳米级金属化膜的氧化度随时间的变化曲线;
其中,采样时刻t下所述待测纳米级金属化膜的氧化度为:γ(t)=1-1/r(t),其中,r(t)为采样时刻t下所述待测纳米级金属化膜的归一化后的电阻值,具体为:所述待测纳米级金属化膜采样时刻t下的电阻值除以其第一个采样时刻下的电阻值所得的结果。
2.根据权利要求1所述的纳米级金属化膜大气腐蚀测量装置,其特征在于,所述贴片电极为金属箔,其电极电位小于所述待测纳米级金属化膜金属层的电极电位。
3.根据权利要求1所述的纳米级金属化膜大气腐蚀测量装置,其特征在于,所述导电银胶的浓度范围为0.3~0.7g/cm3。
4.根据权利要求1所述的纳米级金属化膜大气腐蚀测量装置,其特征在于,所述固定模块还包括加压单元,用于对贴片电极进行加压,以使贴片电极和待测纳米级金属化膜紧密接触。
5.根据权利要求4所述的纳米级金属化膜大气腐蚀测量装置,其特征在于,所述加压单元为经过绝缘处理的弹簧夹或一对极性相反的磁铁;
当所述加压单元为磁铁时,所述贴片电极上方分别压放有第一磁铁,所述绝缘板下方与第一磁铁对应的位置处分别吸附有第二磁铁,以使所述贴片电极和所述待测纳米级金属化膜紧密接触;所述第二磁铁与所述第一磁铁极性相反。
6.根据权利要求1所述的纳米级金属化膜大气腐蚀测量装置,其特征在于,所述绝缘板两端分别设置有载具电极,具体为弹簧片或金属夹片;所述载具电极一端紧压在贴片电极上,且与所述贴片电极的接触部分涂有导电银胶,另一端与所述导线相连;此时,所述待测纳米级金属化膜的两端分别通过对应的载具电极与所述导线相连。
7.根据权利要求1所述的纳米级金属化膜大气腐蚀测量装置,其特征在于,还包括插线板;
所述待测纳米级金属化膜两端的导线插到所述插线板上,所述电阻测量模块的测量夹夹在插线板对应的线柱上。
8.一种纳米级金属化膜大气腐蚀测量方法,其特征在于,包括:
每隔预设时间间隔,测量恒温恒湿环境下待测纳米级金属化膜的电阻,得到所述待测纳米级金属化膜不同采样时刻下的电阻值,并转化为所述待测纳米级金属化膜不同采样时刻下的氧化度,得到所述待测纳米级金属化膜的氧化度随时间的变化曲线;具体包括:在得到所述待测纳米级金属化膜不同采样时刻下的电阻值后,对所述待测纳米级金属化膜不同采样时刻下的电阻值进行归一化处理,并分别将归一化后的所述待测纳米级金属化膜不同采样时刻下的电阻值转化为其氧化度,得到所述待测纳米级金属化膜的氧化度随时间的变化曲线;
其中,采样时刻t下所述待测纳米级金属化膜的氧化度为:γ(t)=1-1/r(t),其中,r(t)为采样时刻t下所述待测纳米级金属化膜的归一化后的电阻值,具体为:所述待测纳米级金属化膜采样时刻t下的电阻值除以其第一个采样时刻下的电阻值所得的结果。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111159589.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。