[发明专利]一种叉指背接触电池的制作方法

说明书

提供了一种叉指背接触电池及其制作方法，所述制作方法包括：提供N型硅片衬底，并对衬底进行双面制绒；在衬底的背面形成依次交替呈直线排列的P+掺杂区和N+掺杂区；在衬底的正面进行磷扩散处理，形成磷掺杂层；在衬底的掺杂区上形成第一氮化硅层，且在磷掺杂层上形成第二氮化硅层；在衬底的第一氮化硅层上分别形成正电极和负电极，以获得所述叉指背接触电池。本发明所提供的叉指背接触电池及其制作方法，通过分别对电池的背面和正面进行磷掺杂，且在对电池的正面进行高温磷扩散的同时对电池的背面进行磷离子注入的退火，从而实现单独控制电池的正面方阻、背面方阻和钝化性能的效果，有利于提升电池的转换效率。

技术领域

本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种叉指背接触电池及其制作方法。

背景技术

随着人类社会对能源需求的增加，能源安全逐渐与政治、经济安全紧密联系在一起，但是人类在享受能源带来的经济发展、科技进步等利益的同时，一系列例如能源短缺等问题也在对人类的生存和发展造成了威胁。光伏发电作为新能源发电之一，近十几年来获得了高速发展，为解决能源短缺以及环境污染问题提供了很大的帮助。

叉指背接触(IBC)电池是目前转换效率最高的产业化晶体硅太阳能电池之一，该电池以n型单晶硅为基底，p-n结和金属电极全部以叉指形状置于电池背面，正面没有金属栅线遮挡光线，并且通过表面制绒和增加减反射层来提高电池对光的吸收，获得了较高的短路电流和转换效率。

现有技术中，IBC电池的扩散工艺主要有：一种是采用离子注入的方式对电池正、背面进行源沉积，然后再经过高温退火形成p-n结或者前表面场；另一种是通过印刷掺磷浆料或掺硼浆料的方式形成p-n结；还有一种是通过一步扩散的方式在电池的正面和背面形成p-n结和场钝化结构，其工艺步骤简单，无需增加离子注入设备，但是无法单独控制电池的正面和背面的方阻及其钝化效果。

发明内容

为了解决上述现有技术存在的问题，本发明提供了一种叉指背接触电池及其制作方法。

根据本发明实施例的一方面提供的一种叉指背接触电池的制作方法，其包括：

提供N型硅片衬底，对所述N型硅片衬底进行双面制绒；

在所述N型硅片衬底的背面形成依次交替呈直线排列的P+掺杂区和N+掺杂区；

在所述N型硅片衬底的正面进行磷扩散处理，形成磷掺杂层；

在所述N型硅片衬底的所述掺杂区上形成第一氮化硅层，且在所述磷掺杂层上形成第二氮化硅层；

在所述N型硅片衬底的所述第一氮化硅层上分别形成与所述掺杂区形成欧姆接触的正电极和负电极，以获得所述叉指背接触电池。

在上述一方面提供的一种叉指背接触电池的制作方法中，所述在所述N型硅片衬底的背面形成依次交替呈直线排列的P+掺杂区和N+掺杂区，具体包括：

在所述N型硅片衬底的背面进行硼掺杂处理，以形成P+掺杂层；

在所述P+掺杂层上形成氧化铝膜，并在所述氧化铝膜的预定位置处进行开槽，去除所述预定位置处相应的氧化铝膜和P+掺杂层，以形成N+开槽区；

在所述N+开槽区内进行磷掺杂，以形成依次交替呈直线排列的P+掺杂区和N+掺杂区。

在上述一方面提供的一种叉指背接触电池的制作方法中，所述在所述N型硅片衬底的背面进行硼掺杂处理，以形成P+掺杂层，具体包括：使用离子注入设备N型硅片衬底的背面进行离子注入，注入元素为硼，注入剂量为5×10¹⁴cm²～10×10¹⁴cm²。