[发明专利]一种基于梯度磁场的强流二极管及梯度磁场装置在审
| 申请号： | 202111161096.6 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN113921357A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 巨金川;陈英豪;周云霄;张军;张威;张发宁 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | H01J21/04 | 分类号： | H01J21/04;H01J21/18 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 赵杰 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 梯度 磁场 二极管 装置 | ||
1.一种梯度磁场装置，其特征在于，包括：导引强流相对论电子束传输的导引磁场；
所述导引磁场包括：螺线管线圈；
所述螺线管线圈绕在强流二极管周围，以用于形成使强流相对论电子束产生径向偏转的梯度磁场。
2.根据权利要求1所述的梯度磁场装置，其特征在于，所述螺线管线圈包括多个子线圈，且均为环状结构。
3.根据权利要求2所述的梯度磁场装置，其特征在于，所述螺线管线圈包括第一子线圈、第二子线圈和第三子线圈；
所述第一子线圈绕在二极管阳极的外侧，所述第二子线圈绕在强流二极管的外导体的外侧，所述第三子线圈绕在所述第二子线圈的外侧。
4.根据权利要求3所述的梯度磁场装置，其特征在于，所述导引磁场还包括：调节结构；
所述调节结构固定设在所述第一子线圈和所述第二子线圈之间并绕在强流二极管周围，且所述调节结构固定设置为环状，以用于形成调节强流相对论电子束半径变化速度的调节磁场。
5.根据权利要求4所述的梯度磁场装置，其特征在于，所述调节结构的材料为高剩磁的钕铁硼。
6.根据权利要求5所述的梯度磁场装置，其特征在于，所述螺线管线圈和所述调节结构均使用法兰固定。
7.一种基于梯度磁场的强流二极管，其特征在于，包括：权利要求1至6任一项所述的梯度磁场装置。
8.根据权利要求7所述的基于梯度磁场的强流二极管，其特征在于，还包括：二极管阴极、阴极发射体、二极管阳极、内导体、外导体和漂移管。
9.根据权利要求8所述的基于梯度磁场的强流二极管，其特征在于，所述阴极发射体浸没在第一子线圈中并向其轴向右侧偏移。
10.根据权利要求8或9所述的基于梯度磁场的强流二极管，其特征在于，所述阴极发射体使用低发射阈值材料。
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