[发明专利]一种低应力MEMS器件制造方法及低应力MEMS器件在审
| 申请号： | 202111161256.7 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN114084867A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 闾新明;林欣蓉;鲁列微 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 绍兴市知衡专利代理事务所(普通合伙) 33277 | 代理人： | 邓爱民 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应力 mems 器件 制造 方法 | ||
1.一种低应力MEMS器件制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在衬底表面形成下电极层，在下电极层表面形成牺牲介质层，牺牲介质层至少包括三层氧化层，牺牲介质层中氧化层的致密性自下而上由高到低变化；
对牺牲介质层进行干法刻蚀形成电极材料沉积窗口，然后采用湿法刻蚀对电极材料沉积窗口的形貌进行圆弧化处理；
在牺牲介质层上沉积电极材料层，并对电极材料层刻蚀形成释放孔，经释放孔刻蚀去除一部分牺牲介质层以形成空腔。
2.根据权利要求1所述的一种低应力MEMS器件制造方法，其特征在于：底层的氧化层通过热氧化并退火方式形成，中间层的氧化层通过热氧化不退火方式形成，顶层的氧化层通过等离子体增强正硅酸乙酯沉积形成。
3.根据权利要求1所述的一种低应力MEMS器件制造方法，其特征在于：所述湿法刻蚀采用氢氟酸和氟化铵混合液进行刻蚀。
4.根据权利要求1所述的一种低应力MEMS器件制造方法，其特征在于：所述湿法刻蚀采用稀释的氢氟酸溶液进行刻蚀。
5.根据权利要求1所述的一种低应力MEMS器件制造方法，其特征在于：
中间层的氧化层厚度分别大于底层和顶层氧化层的厚度。
6.根据权利要求5所述的一种低应力MEMS器件制造方法，其特征在于：底层氧化层的厚度和顶层氧化层的厚度相同。
7.根据权利要求6所述的一种低应力MEMS器件制造方法，其特征在于：中间层的氧化层厚度优选占比总牺牲介质层厚度的1/2。
8.根据权利要求1所述的一种低应力MEMS器件制造方法，其特征在于：所述电极材料层为多晶硅。
9.一种低应力MEMS器件，其特征在于：采用如权利要求1至8任一所述制造方法形成。
10.根据权利要求9所述的一种低应力MEMS器件，其特征在于：MEMS器件为麦克风器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，未经绍兴中芯集成电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111161256.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
