[发明专利]功率放大系统及射频前端模组有效
申请号: | 202111162912.5 | 申请日: | 2021-09-30 |
公开(公告)号: | CN114039555B | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
发明(设计)人: | 赖晓蕾;陈炉星;李铖;方建;倪建兴 | 申请(专利权)人: | 锐石创芯(深圳)科技股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F3/19;H03F3/21 |
代理公司: | 深圳众鼎汇成知识产权代理有限公司 44566 | 代理人: | 朱业刚 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田区梅林街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 放大 系统 射频 前端 模组 | ||
1.一种功率放大系统,其特征在于,包括第一功率放大电路、第一偏置电路、第一控制电路和第一引流电路;
所述第一功率放大电路,被配置为接收第一射频信号,对所述第一射频信号进行放大,输出射频放大信号;
所述第一偏置电路,被配置为提供第一偏置信号至所述第一功率放大电路;
所述第一控制电路包括第一晶体管,所述第一晶体管的第一端接收第一基准电压,所述第一晶体管的第二端耦合至所述第一功率放大电路的第一检测节点,所述第一晶体管的第三端与供电端相连,所述第一检测节点指示所述第一功率放大电路的功率水平;
所述第一控制电路还包括第一衰减电路、第一信号源电路和信号转换电路;
所述第一衰减电路的第一端与所述第一功率放大电路的第一检测节点相连,所述第一衰减电路的第二端与所述第一晶体管的第二端相连;
所述第一信号源电路的输出端与所述第一晶体管的第一端相连,所述第一信号源电路被配置为提供所述第一基准电压至所述第一晶体管的第一端;
所述信号转换电路的第一端与所述第一晶体管的第二端和所述第一衰减电路的第二端相连,所述信号转换电路的第二端与所述第一引流电路的第一端相连;
所述第一基准电压被配置为在所述第一检测节点的功率接近但未达到上限功率时,使得所述第一晶体管处于临近导通状态,在所述第一检测节点的功率达到上限功率之后,使得所述第一晶体管处于导通状态;
所述第一控制电路耦合至所述第一引流电路的第一端,所述第一控制电路被配置为在所述第一晶体管处于导通状态之后,使所述第一引流电路从所述第一偏置电路中抽取至少部分电流,以减小提供至所述第一功率放大电路的第一偏置信号。
2.如权利要求1所述的功率放大系统,其特征在于,所述第一晶体管为BJT管,包括基极、集电极和发射极;所述第一晶体管的基极接收第一基准电压,所述第一晶体管的发射极耦合至所述第一功率放大电路的第一检测节点,所述第一晶体管的集电极耦合至供电端。
3.如权利要求1所述的功率放大系统,其特征在于,所述功率放大系统包括第二偏置电路;所述第二偏置电路,被配置为提供第二偏置信号至所述第一功率放大电路。
4.如权利要求1所述的功率放大系统,其特征在于,所述第一引流电路包括第一引流晶体管;所述第一引流晶体管的第一端与所述信号转换电路的第二端相连,所述第一引流晶体管的第三端耦合至所述第一偏置电路上,所述第一引流晶体管的第二端与接地端相连。
5.如权利要求4所述的功率放大系统,其特征在于,若所述第一引流晶体管为BJT管,则第一控制信号为控制电流,若所述第一引流晶体管为MOS管,则第一控制信号为控制电压。
6.如权利要求5所述的功率放大系统,其特征在于,在所述第一引流电路处于导通状态之后,所述第一引流电路从所述第一偏置电路中抽取至少部分电流的大小与所述第一控制信号的大小呈正相关。
7.如权利要求1所述的功率放大系统,其特征在于,所述功率放大系统还包括第二功率放大电路、第二偏置电路和第二引流电路;
所述第二功率放大电路,被配置为接收射频输入信号,对所述射频输入信号进行放大,向所述第一功率放大电路输出第一射频信号;
所述第二偏置电路,被配置为提供第二偏置信号至所述第二功率放大电路;
所述第一控制电路还耦合至所述第二引流电路的第一端,所述第一控制电路还被配置为在所述第一晶体管处于导通状态之后,使所述第二引流电路从所述第二偏置电路中抽取至少部分电流,以减小提供至所述第二功率放大电路的第二偏置信号。
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