[发明专利]一种磁驱动形状记忆材料及其制备方法和应用在审
申请号: | 202111164585.7 | 申请日: | 2021-09-30 |
公开(公告)号: | CN114015225A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 马连华;张昆;魏天永;周伟;刘佳 | 申请(专利权)人: | 河北大学 |
主分类号: | C08L75/04 | 分类号: | C08L75/04;C08K3/22;C08K3/36;C08K3/38;B29C64/379;B33Y40/20;B33Y70/10 |
代理公司: | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人: | 张莉静 |
地址: | 071002 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 驱动 形状 记忆 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种磁驱动形状记忆材料,其特征在于,其通过以下方法制备得到:
(a)将形状记忆聚合物颗粒与溶剂混合均匀,得到形状记忆聚合物溶液;
(b)将磁颗粒加入到形状记忆聚合物溶液中,并混合均匀,得到具有磁颗粒的形状记忆聚合物溶液;
(c)在所述具有磁颗粒的形状记忆聚合物溶液中加入纳米二氧化硅,混合均匀即得所述磁驱动形状记忆材料。
2.根据权利要求1所述的磁驱动形状记忆材料,其特征在于,所述形状记忆聚合物颗粒为环氧基形状记忆聚合物、氰酸酯基形状记忆聚合物、聚酰亚胺基形状记忆聚合物、苯乙烯基形状记忆聚合物、醚嵌段共聚物聚氨酯热塑性形状记忆聚合物中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的磁驱动形状记忆材料,其特征在于,所述溶剂为N,N'-二甲基乙酰胺、N,N'-二甲基甲酰胺、四氢呋喃中的至少一种;所述磁颗粒为四氧化三铁、铷铁硼颗粒中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的磁驱动形状记忆材料,其特征在于,所述形状记忆聚合物颗粒与溶剂的质量比为1:4-6,所述形状记忆聚合物颗粒、磁颗粒与纳米二氧化硅的质量比为1:0.25-2.1:1.05-2.73。
5.一种磁驱动形状记忆材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(a)将形状记忆聚合物颗粒与溶剂混合均匀,得到形状记忆聚合物溶液;
(b)将磁颗粒加入到形状记忆聚合物溶液中,并混合均匀,得到具有磁颗粒的形状记忆聚合物溶液;
(c)在所述具有磁颗粒的形状记忆聚合物溶液中加入纳米二氧化硅,混合均匀即得所述磁驱动形状记忆材料。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述形状记忆聚合物颗粒为环氧基形状记忆聚合物、氰酸酯基形状记忆聚合物、聚酰亚胺基形状记忆聚合物、苯乙烯基形状记忆聚合物、醚嵌段共聚物聚氨酯热塑性形状记忆聚合物中的至少一种;所述溶剂为N,N'-二甲基乙酰胺、N,N'-二甲基甲酰胺、四氢呋喃中的至少一种;所述磁颗粒为四氧化三铁、铷铁硼颗粒中的至少一种;所述形状记忆聚合物颗粒与溶剂的质量比为1:4-6,所述形状记忆聚合物颗粒、磁颗粒与纳米二氧化硅的质量比为1:0.25-2.1:1.05-2.73。
7.权利要求1-4任一所述磁驱动形状记忆材料在3D打印材料中的应用。
8.权利要求1-4任一所述磁驱动形状记忆材料在三维点阵结构中的应用。
9.根据权利要求8所述的应用,其特征在于,所述磁驱动形状记忆材料用于制作可伸缩的三维点阵结构部件。
10.一种三维点阵结构的形状记忆恢复方法,其特征在于,包括以下步骤:
(a)利用权利要求1-4任一所述磁驱动形状记忆材料进行3D打印制作三维点阵结构部件;将所述部件置于交变磁场中,利用磁热效应使其达到玻璃转变温度以上,然后对三维点阵结构部件施加特定磁场,导致其结构变形,保持施加的磁场,使三维点阵结构部件在玻璃转变温度以上锁定形状,之后降至室温,得到具有临时形状的三维点阵结构部件;
(b)将具有临时形状的三维点阵结构部件继续施加交变磁场,升温至玻璃化转变温度以上,三维点阵结构部件恢复其初始结构,之后降至室温即可。
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