[发明专利]晶硅太阳能电池变温扩散炉有效
申请号: | 202111165033.8 | 申请日: | 2021-09-30 |
公开(公告)号: | CN114000202B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 庄洋;魏秀平;王福强;张楠 | 申请(专利权)人: | 江苏龙恒新能源有限公司 |
主分类号: | C30B31/00 | 分类号: | C30B31/00;C30B29/06;H01L31/18;H01L31/06 |
代理公司: | 无锡三谷高智知识产权代理事务所(普通合伙) 32569 | 代理人: | 张姝 |
地址: | 223802 江苏省宿迁*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 扩散 | ||
本发明公开了一种晶硅太阳能电池变温扩散炉,涉及扩散炉技术领域。该晶硅太阳能电池变温扩散炉包括炉体,炉体上开设有炉口,炉口一侧的炉体上铰接设有用于封闭炉口的炉门,炉口呈圆形状设置,炉门上设有封闭件、辅助隔离件和锁紧件,封闭件包括形成于炉门上的固定环,固定环外滑移连接有形状与炉口相同的封闭环,用于在炉门封闭时滑移卡接在炉口外并封闭炉口,本发明能够在关闭扩散炉的炉门时,通过联动件带动封闭机构同步对其炉口进行封闭,一方面增加对炉口封闭时的隔热性,避免发生热量逸散,保证炉体内温度快速增长并维持平衡,另一方面能够提升炉口位置的气密性,从而防止炉体内经过高温后硅片或其他元件产生的有害气体泄露。
技术领域
本发明涉及及扩散炉技术领域,特别是涉及一种晶硅太阳能电池变温扩散炉。
背景技术
扩散炉是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一,用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。它的主要用途是对半导体进行掺杂,即在高温条件下将掺杂材料扩散入硅片,从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布,以便建立起不同的电特性区域。
虽然某些工艺可以使用离子注入的方法进行掺杂,但是热扩散仍是最主要、最普遍的掺杂方法。硅的热氧化作用是使硅片表面在高温下与氧化剂发生反应,生长一层二氧化硅膜。氧化方法有干氧氧化和水汽氧化(含氢氧合成)两种,扩散炉是用这两种氧化方法制备氧化层的必备设备。扩散炉是半导体集成电路工艺的基础设备,它与半导体工艺互相依存、互相促进、共同发展。
扩散炉有垂直扩散炉和水平扩散炉两种类型。垂直扩散炉是石英舟垂直于水平面,更加有利于机械手传送硅片,片内工艺参数一致性更好。水平扩散炉是石英舟平行于水平面,一台可以4个或4个以上的工艺炉管,平均炉管的占地面积更小,片间的工艺参数较垂直扩散炉更好。
目前,公开号为CN107604444A的中国专利公开了一种硅片加热扩散炉,包括炉体和设置于炉体内的多根炉管,炉体上设有控制柜,炉管相互间隔的横向装设于炉体内,且炉管的两端设为炉口和炉尾,且炉口和炉尾于炉体上设有炉门。炉管的炉口、炉尾和炉管的中部分别设有加热元件,炉管内设有石英层,且炉管的炉口和炉尾的外表面分别套设有石棉垫和石棉圈,控制柜实时监控和控制炉体内的温度。
这种硅片加热扩散炉虽然可达到对炉口和炉尾保温的作用,防止其散热导致炉口,但这种扩散炉在使用时,其炉口由于炉门的存在,封闭不够良好,在生产过程中容易造成热量的逸散,同时由于高温条件,硅片容易产生有害气体,并从炉门位置泄露,从而对操作人员的身体健康造成一定损伤。
发明内容
本发明针对上述技术问题,克服现有技术的缺点,提供一种晶硅太阳能电池变温扩散炉。
为了解决以上技术问题,本发明提供一种晶硅太阳能电池变温扩散炉。
技术效果:能够在关闭扩散炉的炉门时,通过联动件带动封闭机构同步对其炉口进行封闭,一方面增加对炉口封闭时的隔热性,避免发生热量逸散,保证炉体内温度快速增长并维持平衡,另一方面能够提升炉口位置的气密性,从而防止炉体内经过高温后硅片或其他元件产生的有害气体泄露,以保证操作人员的身体健康。
本发明进一步限定的技术方案是:一种晶硅太阳能电池变温扩散炉,包括炉体,炉体上开设有炉口,炉口一侧的炉体上铰接设有用于封闭炉口的炉门,炉口呈圆形状设置,炉门上设有
封闭件,包括形成于炉门上的固定环,固定环外滑移连接有形状与炉口相同的封闭环,用于在炉门封闭时滑移卡接在炉口外并封闭炉口,炉口上设有形状与固定环匹配的连接环,炉门封闭时固定环嵌设于连接环内,且封闭环套设于连接环外;
辅助隔离件,包括两块关于固定环对称设置并滑移连接在炉门上的隔离块,隔离块呈半环形设置,其形状与封闭环贴合,炉门上设有联动件,包括转轮,用于通过旋转的方式带动两块隔离块相对或相背方向滑移,以辅助隔离或放开封闭环;
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