[发明专利]一种用于制造单晶硅棒的拉晶炉、方法及单晶硅棒有效
| 申请号： | 202111165968.6 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN113862777B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 张婉婉;文英熙 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B15/20;C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 李斌栋;姚勇政 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制造 单晶硅 拉晶炉 方法 | ||
1.一种用于制造单晶硅棒的方法，其特征在于，所述方法包括：
利用掺氮硅熔体通过直拉法拉制单晶硅棒；
通过提拉机构使所述单晶硅棒沿着拉晶方向移动至经受热处理的位置处；
使用第一热处理器在使所述单晶硅棒中的BMD消融的第一热处理温度下对所述单晶硅棒的尾部节段进行热处理，
同时，使用第二热处理器在促使所述单晶硅棒中形成BMD的第二热处理温度下对所述单晶硅棒的头部节段进行热处理，
其中，所述使用第二热处理器在促使所述单晶硅棒中形成BMD的第二热处理温度下对所述单晶硅棒的头部节段进行热处理，具体指的是：
所述第二热处理器中的第一分段和第二分段沿所述拉晶方向分别以不同的热处理温度对所述单晶硅棒的头部节段进行热处理，
其中，所述第一热处理温度为950-1200摄氏度，
其中，所述第二热处理温度为600-850摄氏度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一分段和第二分段沿所述拉晶方向分别以不同的热处理温度对所述单晶硅棒的头部节段进行热处理，具体指的是：
所述第一分段以600-700摄氏度处理所述单晶硅棒的头部节段；
所述第二分段以700-850摄氏度处理所述单晶硅棒的头部节段。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过提拉机构使所述单晶硅棒沿着拉晶方向移动至经受热处理的位置处，具体指的是：
通过提拉机构使所述单晶硅棒沿着拉晶方向移动至经受热处理的位置处，并在所述位置停留预设的热处理时间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安奕斯伟材料科技股份有限公司，未经西安奕斯伟材料科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111165968.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
