[发明专利]电压基准电路

权利要求书

1.一种电压基准电路，其特征在于，包括：

纳安级偏置电路（100），由多个场效应管组成，用于提供纳安级偏置电流；

基准产生电路（200），与所述纳安级偏置电路（100）连接，用于产生负温度系数电压和正温度系数电压，所述负温度系数电压与所述正温度系数电压之和为基准电压；

启动电路（300），其输出端与所述纳安级偏置电路（100）连接，用于辅助所述纳安级偏置电路（100）达到目标工作电流；

所述纳安级偏置电路（100）包括：由PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P4、PMOS管P5、PMOS管P6、PMOS管P7、PMOS管P8和NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4、NMOS管N5、NMOS管N6组成的电流镜以及PMOS管P_A；

所述PMOS管P1的栅极分别与所述PMOS管P1的漏极、所述PMOS管P2的栅极和所述PMOS管P4的源极连接，所述PMOS管P1的源极分别与所述PMOS管P_A的源极和所述PMOS管P6的源极连接，所述PMOS管P1的源极、所述PMOS管P_A的源极和所述PMOS管P6的源极均分别用于与电源连接，所述PMOS管P2的源极与所述PMOS管P_A的漏极连接，所述PMOS管P2的漏极与所述PMOS管P5的源极连接；

所述NMOS管N1的漏极分别与所述PMOS管P4的栅极、所述PMOS管P4的漏极和所述PMOS管P5的栅极连接，所述NMOS管N1的源极与所述NMOS管N2的漏极连接，所述NMOS管N3的源极分别与所述NMOS管N2的栅极、所述NMOS管N4的漏极、所述NMOS管N4的栅极和所述NMOS管N6的栅极连接，所述PMOS管P5的漏极分别与所述NMOS管N1的栅极、所述NMOS管N3的漏极、所述NMOS管N3的栅极、所述NMOS管N5的栅极连接；

所述NMOS管N2的源极分别与所述NMOS管N4的源极和所述NMOS管N6的源极连接，所述NMOS管N2的源极、所述NMOS管N4的源极和所述NMOS管N6的源极均分别用于接地；

所述PMOS管P6的栅极和所述PMOS管P6的漏极均分别与所述PMOS管P7的源极连接，所述P_A的栅极分别与所述PMOS管P7的栅极、所述PMOS管P7的漏极、所述PMOS管P8的栅极、所述PMOS管P8漏极、所述PMOS管P8的源极和所述NMOS管N5的漏极连接，所述NMOS管N5的源极与所述NMOS管N6的漏极连接。