[发明专利]一种含过渡金属的无机非线性光学晶体的制备方法

权利要求书

1.一种无机化合物晶体，其特征在于，所述无机化合物晶体的化学式为[K₄Cl][MGa₉Q₁₆]；

其中，M选自Cd、Mn或Fe中的一种；

当M为Cd时，Q选自S或Se；

当M为Mn或Fe时，Q为S。

2.根据权利要求1所述的无机化合物晶体，其特征在于，所述无机化合物晶体具有由MQ₄四面体及GaQ₄四面体共顶点连接成[MGa₉Q₁₆]^3–三维阴离子框架结构，[K₄Cl]³⁺阳离子基团独立地填充在阴离子框架的间隙中，使化合物满足电荷平衡。

3.根据权利要求1所述的无机化合物晶体，其特征在于，所述无机化合物晶体为非中心对称结构，属于三斜晶系，空间群为P1。

4.根据权利要求1所述的无机化合物晶体，其特征在于，所述无机化合物晶体的晶胞参数为a = 8.37~8.78 Å，b = 9.78~10.30 Å，c = 9.8~10.32 Å，α= 68.21~68.76°，β =74.74~74.92°，γ = 84.93~85.32°，V = 723.64~836.01，Z = 1。

5.根据权利要求1所述的无机化合物晶体，其特征在于，所述无机化合物晶体的晶胞参数为a = 8.3709(3)~8.7720(3) Å，b = 9.7849(6)~10.2955(3) Å，c = 9.8262(6)~10.3146(3) Å，α = 68.215(2)~68.758(5)°，β= 74.741(5)~74.920(3)°，γ = 84.930(2)~85.311(4)°，V = 723.64(8)~836.01(5)，Z = 1。

6.根据权利要求1所述的无机化合物晶体，其特征在于，所述无机化合物晶体的分子式为[K₄Cl][CdGa₉S₁₆]；所述无机化合物晶体的晶胞参数为a = 8.432~8.433 Å，b = 9.880~9.881 Å，c = 9.900~9.901 Å，α = 68.21~68.22°，β = 74.88~74.89°，γ = 84.95~84.96°，V = 739.4~739.5，Z = 1。

7.根据权利要求6所述的无机化合物晶体，其特征在于，所述无机化合物晶体的晶胞参数为a = 8.4328(2)Å，b = 9.8807(2) Å，c = 9.9005(2) Å，α = 68.215(2)°，β = 74.887(2)°，γ = 84.956(2)°，V = 739.49(3)，Z = 1。