[发明专利]一种辐照加固的SiC超结MOS结构

权利要求书

1.一种辐照加固的SiC超结MOS结构，其特征在于，包括：

N+漏区（1）；

P柱分为左中右三部分（2-1）、（2-2）、（2-3），N柱分为左右两部分（3-1）、（3-2），并以左侧P柱（2-1）、左侧N柱（3-1）、中间P柱（2-2）、右侧N柱（3-2）、右侧P柱（2-3）的顺序交替排列，并位于所述N+漏区（1）的上表面；

P-base区（5）分为左右两部分，左侧P-base区（5-1）位于所述左侧N柱（3-1）的上表面，右侧P-base区（5-2）位于所述右侧N柱（3-2）的上表面；

N-source区（4）分为左右两部分，左侧N-source区（4-1）位于左侧P-base区（5-1）的预设区的上表面，右侧N-source区（4-2）位于右侧P-base区（5-2）的预设区的上表面；

P-plus区（8）分为左右两部分，左侧P-plus区（8-1）位于左侧P柱（2-1）的上表面，左侧N-source区（4-1）及左侧P-base区的预设区（5-1）的左侧面；右侧P-plus区（8-2）位于所述左侧P柱（2-3）的上表面，右侧N-source区（4-2）及右侧P-base区的预设区（5-2）的右侧面；

栅氧（9）位于所述左侧N-source区（4-1）部分区域、右侧N-source区（4-2）部分区域、左侧P-base区的预设区（5-1）部分区域、右侧P-base区的预设区（5-2）部分区域、部分N柱的上表面；

多晶硅栅（6）位于栅氧（9）的上表面；

隔离氧（7）位于所述多晶硅栅（6）的上表面；

左中右三个P柱（2-1）、（2-2）、（2-3）在芯片内部连为一体，并与左侧P-plus区（8-1）、右侧P-plus(8-2)相连。

2.按照权利要求1所述的一种辐照加固的SiC超结MOS结构，其特征在于，所述栅氧（9）厚度为40nm~150nm。

3.按照权利要求1所述的一种辐照加固的SiC超结MOS结构，其特征在于，所述多晶硅栅的材料为多晶硅，该多晶硅为N型掺杂，掺杂元素为磷元素，掺杂浓度为1×10¹⁹~1×10²⁰cm^-3 。

4.按照权利要求1所述的一种辐照加固的SiC超结MOS结构，其特征在于，所述N柱为SiC，掺杂类型为N型外延掺杂，掺杂元素为氮元素或磷元素，掺杂浓度为1×10¹⁵~1×10¹⁸cm^-3，厚度为5~30μm。

5.按照权利要求1所述的一种辐照加固的SiC超结MOS结构，其特征在于，所述P柱为SiC，掺杂类型为P型离子注入，掺杂元素为铝元素或硼元素，掺杂浓度为1×10¹⁵~1×10¹⁸cm^-3，厚度为5~30μm。