[发明专利]一种低功耗宽电压范围振荡器

权利要求书

1.一种低功耗宽电压范围振荡器，其特征在于，包括：

积分电路，对电流进行积分，使内部的电容进行充放电，产生交替上升或下降的斜坡电压；

缓冲电路，对积分电路产生的斜坡电压进行整形；

锁存电路，将状态锁存，输出时钟频率CLK和CLKN，所述锁存电路将时钟频率CLKN输入至所述积分电路，并重置所述积分电路中的积分电容。

2.如权利要求1所述的低功耗宽电压范围振荡器，其特征在于，所述积分电路包括PMOS管PM11～PM14、NMOS管NM11～NM13、积分电容C11、C12以及偏置电流源IREF；

PMOS管PM11、PMOS管PM12、PMOS管PM14为电流镜像管，PMOS管PM13和NMOS管NM13为开关管；PMOS管PM11、PM12、PM13、PM14的源极均接电源电压VCC，NMOS管NM11、NM12、NM13的源极均接地电位GND，积分电容C11的上极板接电源电压VCC，积分电容C12的下极板接地电位GND；

所述偏置电流源IREF的输入端连接PMOS管PM11的漏极，PMOS管PM11的栅极和漏极均连接PMOS管PM12的栅极和PM14的栅极；PM12的漏极连接NM11的漏极和栅极，NMOS管NM11的栅极连接NM12的栅极，NMOS管NM12的漏极连接开关管PM13的漏极和积分电容C12的上极板，PM13的栅极连接开关管NM13的栅极，NM13的漏极连接PM14的漏极和积分电容C11的下极板；开关管PM13和开关管NM13的栅极同时连接时钟频率CLKN。

3.如权利要求2所述的低功耗宽电压范围振荡器，其特征在于，所述缓冲电路包括第一缓冲逻辑和第二缓冲逻辑，第一缓冲逻辑的输入端连接PMOS管PM14的漏极和积分电容C11的下极板；第二缓冲逻辑的输入端连接NMOS管NM12漏极和积分电容C12的上极板。

4.如权利要求1所述的低功耗宽电压范围振荡器，其特征在于，所述积分电路包括PMOS管PM21～PM24、NMOS管NM21～NM23、积分电容C_PM、C_NM以及偏置电流源IREF；

PMOS管PM21、PMOS管PM22、PMOS管PM24为电流镜像管，PMOS管PM23和NMOS管NM23为开关管；PMOS管PM21、PM22、PM23、PM24的源极均接电源电压VCC，NMOS管NM21、NM22、NM23的源极均接地电位GND，积分电容C_PM的源极和漏极接电源电压VCC，积分电容C_NM的源极和漏极接地电位GND；

所述偏置电流源IREF的输入端连接PMOS管PM21的漏极，PMOS管PM21的栅极和漏极均连接PMOS管PM22的栅极和PM24的栅极；PM22的漏极连接NM21的漏极和栅极，NMOS管NM21的栅极连接NM22的栅极，NMOS管NM22的漏极连接开关管PM23的漏极和积分电容C_NM的栅极，PM23的栅极连接开关管NM23的栅极，NM23的漏极连接PM24的漏极和积分电容C_PM的栅极；开关管PM23和开关管NM23的栅极同时连接时钟频率CLKN。

5.如权利要求4所述的低功耗宽电压范围振荡器，其特征在于，所述缓冲电路包括第一缓冲逻辑和第二缓冲逻辑，第一缓冲逻辑的输入端连接PMOS管PM24的漏极和积分电容C_PM的栅极；第二缓冲逻辑的输入端连接NMOS管NM22漏极和积分电容C_NM的栅极。

6.如权利要求3或5所述的低功耗宽电压范围振荡器，其特征在于，所述第一缓冲逻辑和所述第二缓冲逻辑为两个一致的缓冲元件，同为反相器、缓冲器、施密特触发器或比较器中的任意一种。

7.如权利要求6所述的低功耗宽电压范围振荡器，其特征在于，所述锁存电路包括一个锁存器，所述锁存器的第一输入端连接所述第一缓冲逻辑的输出端，第二输入端连接所述第二缓冲逻辑的输出端；所述锁存器的第一输出端输出时钟频率CLK，第二输出端输出时钟频率CLKN。