[发明专利]无凸块和无引线的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

管芯，具有中央有源区、顶面、底面；

侧壁，具有多个通孔，每个通孔从顶面的顶端延伸至底面的底端；

顶面上的多个管芯焊盘，从中央有源区延伸至各自的顶端；

底面上的图案化背面金属化层，包括延伸至相应底端的多个电隔离区域；

金属涂层部分地填充通孔，并在多个管芯焊盘中的相应管芯焊盘和多个电隔离区域中的相应电隔离区域之间提供电连接；和

钝化层，覆盖顶面和管芯焊盘。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，包括四个侧壁，每个侧壁中具有通孔。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述通孔的横截面为以下至少之一：半圆形、半正方形、半槽形、矩形、半椭圆形、圆的一部分。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述通孔的横截面为半圆形且该半圆形通孔的直径为50-100μm。

5.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述通孔的横截面为半槽形，且所述半槽形的通孔的长径为150-250μm。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述图案化背面金属化层还包括电隔离的中心区域。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述相邻两个通孔之间的距离为0.3-0.5mm。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述图案化背面金属化层的电隔离区域沿侧壁具有0.15-0.25mm的宽度和0.35-0.55mm的长度。

9.一种形成半导体器件的方法，其特征在于，该方法包括：

在半导体晶圆中提供半导体器件阵列，其间具有划片区，晶圆具有顶面和底面，每个器件包括具有中心有源区的管芯、在顶面上的多个延伸至划片区的管芯焊盘，以及位于底面上并包括多个电隔离区的图案化背面金属化层，每个电隔离区延伸到相应的划片区；

提供穿过晶圆的多个穿孔，每个穿孔跨越划片区域并延伸到一对相邻半导体器件中的每一个中，其中每个穿孔的第一端邻接相应的管芯焊盘，每个穿孔的第二端穿孔邻接相应的电隔离区域；

在穿孔中形成金属涂层，从而在多个管芯焊盘中的相应管芯焊盘与多个电隔离区域中的相应电隔离区域之间提供电连接；

用钝化层覆盖管芯和管芯焊盘；和

将半导体器件阵列分割成半导体器件，从而从划片区去除材料并产生具有通孔的器件侧壁。

10.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述分割所述半导体阵列包括向半导体器件施加温度梯度或机械应力。