[发明专利]一种微纳尺寸的无源生长硅酸盐材料的生长方法有效
| 申请号： | 202111168612.8 | 申请日： | 2021-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN114086151B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 庄秀娟;郑敏;潘安练 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/44;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 蒋太炜 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 无源 生长 硅酸盐 材料 方法 | ||
1.一种微纳尺寸的无源生长硅酸盐材料的生长方法，其特征在于： 所述生长方法为：
管式炉上放置干净的石英管，将装有氯化铒粉末的瓷舟放置在石英管的中心温区，纯硅衬底平铺另一个在瓷舟里，放置在氯化铒粉末的下游，距离中心温区4-5厘米处，用于沉积样品；检查管式炉上石英管的气密性后洗气；所述洗气为：用流速600-700 sccm的高纯氩气洗气3-5分钟，然后将流速调至160-220sccm、接着采用阶梯式升温以及阶梯式降温生长纳米材料；
所述阶梯式升温以及阶梯式降温的方式为：经过20-40分钟温度由室温升至A℃，从A℃经过30-50分钟升至B℃，由B℃经过30-60分钟升至C℃，在C℃恒温60-95分钟后开始降温，从C℃经过30-60分钟降到B℃，再经过30-50分钟降到A℃后温度自然降至室温；所述A的取值范围为250-350；所述B的取值范围为650-750；所述C的取值范围为1080-1200。
2.根据权利要求1所述的一种微纳尺寸的无源生长硅酸盐材料的生长方法，其特征在于：生长所得产物为纳米片和/或纳米线。
3.根据权利要求2所述的一种微纳尺寸的无源生长硅酸盐材料的生长方法，其特征在于：生长的纳米片的尺寸最大可达100微米，厚度为100纳米-2微米；纳米线的宽度为200-500纳米。
4.根据权利要求1所述的一种微纳尺寸的无源生长硅酸盐材料的生长方法，其特征在于：氯化铒粉末的纯度大于等于99.99%。
5.根据权利要求1所述的一种微纳尺寸的无源生长硅酸盐材料的生长方法，其特征在于：所得材料的发光寿命可达6.9毫秒。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
