[发明专利]微型发光二极管单元的转移方法以及微型发光二极管显示面板

说明书

本发明涉及微型发光二极管单元的转移方法以及微型发光二极管显示面板。通过在所述第二转移衬底上形成多个间隔设置的第一凹槽，使得多个所述微型发光二极管单元分别嵌入到相应的所述第一凹槽中，在所述目标衬底上形成多个间隔设置的第二凹槽，将所述第二转移衬底的第一凹槽中的多个所述微型发光二极管单元分别转移至所述目标衬底中相应的所述第二凹槽中，有效提高了转移精度。同时在第一、第二凹槽中分别设置有第一、第二应力缓冲层，进而可以确保在微型发光二极管单元转移过程中，避免微型发光二极管单元损坏，提高转移的芯片的良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种微型发光二极管单元的转移方法以及一种微型发光二极管显示面板。

背景技术

微型发光二极管的重大技术挑战包括：巨量转移技术——即在微型发光二极管制造流程中，将微型发光二极管从原半导体晶圆迁移到背板上的过程；微型发光二极管现阶段较低的发光效率；以及微型发光二极管更需要从系统的角度来选择不同阶段的工艺技术；还有背板基板的制造、RGB三色实施方案等。

在巨量转移技术中，由于当发光二极管的尺寸小到微型发光二极管像素级别，而且导致需要转移多达几千万颗芯片，进而导致转移效率、对齐精度、良率等相关的工艺难度增大。现有研究成果的主流方案有两类，分别是直接整片全体转移，以及间接的拾取并放置。整片转移采用晶圆至晶圆或者芯片至晶圆键合的方法，这种方案适用于小屏幕；而拾取并放置则比较复杂，是每次拿取一部分微型发光二极管做贴装，并重复这个动作，有时需要借用载体。对于大尺寸显示面板而言，这种方案是更加适用的。

发明内容

本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种微型发光二极管单元的转移方法以及一种微型发光二极管显示面板。

为实现上述目的，本发明提出的一种微型发光二极管单元的转移方法，包括以下步骤：

提供第一生长衬底，在所述第一生长衬底上外延生长外延功能层。

提供第一转移衬底，将外延功能层的上表面贴合至所述第一转移衬底，接着对所述外延功能层和所述第一生长衬底进行切割处理，以形成多个间隔设置的微型发光二极管单元，接着拉伸所述第一转移衬底以增加相邻微型发光二极管单元的间距。

提供第二转移衬底，在所述第二转移衬底上形成多个间隔设置的第一凹槽，多个所述第一凹槽与多个所述微型发光二极管单元一一对应，且所述第一凹槽具有一第一深度。

在多个所述第一凹槽中分别设置第一应力缓冲层，接着在所述第一转移衬底上覆盖所述第二转移衬底，使得多个所述微型发光二极管单元分别嵌入到相应的所述第一凹槽中。

提供一目标衬底，在所述目标衬底上形成多个间隔设置的第二凹槽，多个所述第二凹槽与多个所述第一凹槽一一对应，且所述第二凹槽具有一第二深度，且所述第一深度和所述第二深度之和小于所述微型发光二极管单元的厚度。

接着在每个所述第二凹槽的底部形成一通孔，所述通孔贯穿所述目标衬底，接着在所述通孔中依次形成第一金属层、第一石墨烯层、第二应力缓冲层和第二石墨烯层。

接着将所述第二转移衬底上的多个所述微型发光二极管单元分别转移至所述目标衬底中相应的所述第二凹槽中，并去除所述第二转移衬底。

接着形成一封装层，所述封装层覆盖所述目标衬底和多个所述微型发光二极管单元。

作为优选的技术方案，所述外延功能层包括空穴注入层、发光层和电子注入层。

作为优选的技术方案，所述第一转移衬底为可拉伸柔性树脂基底，通过激光烧蚀工艺或机械切割工艺进行所述切割处理。

作为优选的技术方案，所述第二转移衬底为刚性衬底，通过湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺形成所述第一凹槽。

作为优选的技术方案，所述第一应力缓冲层和所述第二应力缓冲层为弹性树脂材料。