[发明专利]微发光二极管显示器件及其制作方法

权利要求书

1.一种微发光二极管显示器件的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤(1)：提供第一基底，在所述第一基底上依次生长N型半导体层、有源发光层、P型半导体层和透明导电层；

步骤(2)：接着对所述N型半导体层、有源发光层、P型半导体层和透明导电层进行切割处理，以形成多个微发光二极管单元；

步骤(3)：接着提供第一临时载板，将多个所述微发光二极管单元转移至所述第一临时载板，然后去除所述第一基底；

步骤(4)：接着对每个所述微发光二极管单元的四个侧面进行刻蚀处理，以在每个侧面上均形成多个贯穿孔，接着沉积介电材料层以覆盖每个所述微发光二极管单元的侧壁和上表面，且所述介电材料层具有暴露每个所述微发光二极管单元的所述N型半导体层的开口；

步骤(5)：接着沉积金属材料层以覆盖每个所述微发光二极管单元的侧壁和上表面且填满所述贯穿孔，接着对所述金属材料层进行刻蚀处理，以形成相互间隔设置的电引出结构和热引出结构，所述电引出结构与所述N型半导体层电连接，且所述热引出结构围绕所述电引出结构；

步骤(6)：接着提供一阵列基板，在所述阵列基板上形成多个间隔设置的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、栅介质层、半导体有源层、源电极和漏电极；

步骤(7)接着在每个所述薄膜晶体管的一侧形成与所述漏电极电连接的像素电极，并形成与所述像素电极间隔设置的导热通孔；

步骤(8)：将多个所述微发光二极管单元转移至所述阵列基板，使得每个所述微发光二极管单元的所述电引出结构与相应的所述像素电极电连接，且使得每个所述微发光二极管单元的所述热引出结构与相应的所述导热通孔热连接；

其中，在所述步骤(4)中，多个所述贯穿孔平行排列；

其中，在所述步骤(7)中，对所述阵列基板进行刻蚀处理，以形成暴露漏电极的第一开口和与所述第一开口间隔设置的第二开口，进而在所述第一开口和所述第二开口中同时沉积铜或铝以分别形成所述像素电极和所述导热通孔。

2.根据权利要求1所述的微发光二极管显示器件的制作方法，其特征在于：在所述步骤(1)中，所述有源发光层为单量子阱结构、多量子阱结构或量子点发光层，所述透明导电层为氧化锌、氧化铟、氧化铟镓、氧化铟锡中的一种。

3.根据权利要求1所述的微发光二极管显示器件的制作方法，其特征在于：在所述步骤(3)中，在所述第一临时载板上设置一临时粘结层，将多个所述微发光二极管单元粘结至所述临时粘结层，所述临时粘结层为热释放粘结层或紫外光释放粘结层。

4.根据权利要求1所述的微发光二极管显示器件的制作方法，其特征在于：在所述步骤(4)中，利用光刻胶掩膜对每个所述微发光二极管单元的四个侧面进行湿法刻蚀处理或干法刻蚀处理。

5.根据权利要求4所述的微发光二极管显示器件的制作方法，其特征在于：在所述步骤(4)中，所述介电材料层的材料为氧化铝、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆、氮化硼、氮化铝、碳化硅、氮化硅中的一种，所述介电材料层通过化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成。

6.根据权利要求1所述的微发光二极管显示器件的制作方法，其特征在于：在所述步骤(5)中，所述金属材料层的材料为铜、铝、银中的一种或多种，所述金属材料层为单层结构或多层层叠结构，所述金属材料层通过磁控溅射、热蒸镀、化学镀、电镀、电子束蒸发中的一种或多种工艺制备形成。

7.一种微发光二极管显示器件，其特征在于，采用权利要求1-6任一项所述的制作方法形成的。