[发明专利]零部件、等离子体装置、形成耐腐蚀涂层的方法及其装置有效

专利信息
申请号: 202111169430.2 申请日: 2021-10-08
公开(公告)号: CN113611589B 公开(公告)日: 2021-12-24
发明(设计)人: 段蛟;郭盛;杨桂林 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;C23C14/02;C23C16/02
代理公司: 上海元好知识产权代理有限公司 31323 代理人: 徐雯琼;张静洁
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 零部件 等离子体 装置 形成 腐蚀 涂层 方法 及其
【权利要求书】:

1.一种耐等离子腐蚀的零部件,其特征在于,包括:

零部件本体,其包括待镀面,所述待镀面在任意水平距离为100微米范围内局域高度偏差小于等于20微米;

耐腐蚀涂层,位于所述待镀面上,所述耐腐蚀涂层表面在任意水平距离为50微米范围内局域高度偏差小于等于10微米,所述耐腐蚀涂层由物理气相沉积工艺制成,表面形貌致密;

所述耐腐蚀涂层表面具有多个生长单元,其中80%以上的生长单元的面积小于450平方微米。

2.如权利要求1所述的零部件,其特征在于,所述耐腐蚀涂层无生长边界。

3.如权利要求1所述的零部件,其特征在于,所述多个生长单元中,每个生长单元的顶部和边界沟槽之间的高度差小于1微米。

4.如权利要求1所述的零部件,其特征在于,所述耐腐蚀涂层表面在任意水平距离为50微米范围内,通过扫描电子显微镜在放大至少1000倍条件下观察其形貌,无封闭图形。

5.如权利要求1所述的零部件,其特征在于,所述零部件本体的材料包括:铝、铝合金、陶瓷、单晶硅、多晶硅、碳化硅、氮化硅和氧化硅中的至少一种。

6.如权利要求1所述的零部件,其特征在于,所述耐腐蚀涂层的材料为稀土元素的氧化物、稀土元素氟化物和稀土元素氟氧化物中的至少一种。

7.如权利要求6所述的零部件,其特征在于,所述耐腐蚀涂层的材料还包括:铝元素或者硅元素。

8.如权利要求1所述的零部件,其特征在于,所述耐腐蚀涂层的厚度为:1微米~1000微米。

9.如权利要求8所述的零部件,其特征在于,所述耐腐蚀涂层的厚度为10微米~500微米。

10.如权利要求1所述的零部件,其特征在于,所述多个生长单元中,80%以上的生长单元边界具有小于100微米的周长。

11.如权利要求1所述的零部件,其特征在于,所述耐腐蚀涂层由低热应力涂覆方法形成在零部件表面,所述低热应力涂覆方法包括:放置零部件在一个涂覆材料源装置上方,使得材料源装置中的涂覆材料分子向上运动到达零部件表面,零部件表面形成第一厚度的涂层后,移动所述零部件使得零部件与所述涂覆材料源装置的距离增加,或者使得零部件镀面倾斜于所述涂覆材料分子运动方向。

12.一种等离子体装置,其特征在于,包括:

等离子体处理腔,所述等离子体处理腔内用于形成等离子体环境;

如权利要求1至权利要求11任一项所述零部件,位于所述等离子体处理腔内,暴露于所述等离子体环境中。

13.如权利要求12所述的等离子体装置,其特征在于,当等离子体装置为电感耦合等离子体装置时,所述零部件包括:陶瓷板、内衬套、气体喷嘴、气体分配板、气管法兰、静电吸盘组件、覆盖环、聚焦环、绝缘环、衬底固持框和等离子体约束环中的至少一种。

14.如权利要求12所述的等离子体装置,其特征在于,当等离子体装置为电容耦合等离子体装置时,所述零部件包括:喷淋头、上接地环、移动环、气体分配板、气体缓冲板、静电吸盘组件、下接地环、覆盖环、聚焦环、绝缘环、衬底固持框和等离子体约束环中的至少一种。

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