[发明专利]岛膜状纳米立方阵列结构的制备方法

权利要求书

1.一种岛膜状纳米立方阵列结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

将预设基底设置在第一容器内部，预设硅片设置在所述预设基底上，金银核壳纳米立方溶胶设置在所述预设硅片表面，使用第二容器罩设在所述预设基底上，其中，所述金银核壳纳米立方为银立方包覆金球的核壳结构；

将预设液体注入到所述第一容器和所述第二容器之间，控制所述第二容器的蒸发速率，使得所述金银核壳纳米立方溶胶在所述预设硅片上形成岛膜状纳米立方阵列结构；

将预设探针分子沉积在所述岛膜状纳米立方阵列结构表面。

2.根据权利要求1所述的岛膜状纳米立方阵列结构的制备方法，其特征在于，所述将预设基底设置在第一容器内部，预设硅片设置在所述预设基底上，金银核壳纳米立方溶胶设置在所述预设硅片表面，使用第二容器倒扣在所述预设基底上的步骤之前还包括：

使用氯金酸、硼氢化钠、十六烷基三甲基溴化铵制备金种子溶液；

将氯金酸、抗坏血酸、十六烷基三甲基氯化铵倒入所述金种子溶液中生成金球溶胶；

将硝酸银、抗坏血酸溶液、十六烷基三甲基氯化铵依次加入到所述金球溶胶中，在所述金球溶胶中生成金银核壳纳米立方溶胶。

3.根据权利要求1所述的岛膜状纳米立方阵列结构的制备方法，其特征在于，所述使用氯金酸、硼氢化钠、十六烷基三甲基溴化铵制备种子溶液的步骤之前还包括：

使用丙酮溶液在超声环境中清洗2分钟-8分钟所述预设硅片表面；

使用乙醇溶液在超声环境中清洗2分钟-5分钟所述预设硅片表面；

使用去离子水在超声环境中清洗5分钟-10分钟所述预设硅片表面；

将所述预设硅片设置在烤箱中干燥。

4.根据权利要求1所述的岛膜状纳米立方阵列结构的制备方法，其特征在于，所述将预设液体注入到所述第一容器和所述第二容器之间，控制所述第二容器的蒸发速率，使得所述金银核壳纳米立方溶胶在所述预设硅片上形成岛膜状纳米立方阵列结构的步骤具体包括：

将预设液体注入到所述第一容器和所述第二容器之间；

通过控制所述第二容器的环境温度和/或控制所述第二容器内部的湿度，改变所述金银核壳纳米立方溶胶中心位置与边缘位置的蒸发速率；

所述金银核壳纳米立方溶胶蒸发后在所述预设硅片上形成岛膜状纳米立方阵列结构。

5.根据权利要求1所述的岛膜状纳米立方阵列结构的制备方法，其特征在于，所述预设探针分子包括罗丹明和结晶紫、阿斯巴甜中任意一种。

6.根据权利要求1所述的岛膜状纳米立方阵列结构的制备方法，其特征在于，所述第一容器和所述第二容器的底面积之比为2:1-3:1。

7.根据权利要求1所述的岛膜状纳米立方阵列结构的制备方法，其特征在于，所述第一容器的容积为400ml-600ml，所述第二容器的容积为100ml-300ml。