[发明专利]集成电路器件

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

衬底，在其中具有有源区；

在所述衬底上的位线；

直接接触，在所述有源区和所述位线之间延伸并将所述位线电连接到所述有源区的一部分；

间隔物结构，在所述位线的侧壁上以及在所述直接接触的侧壁上延伸；以及

场钝化层，在所述直接接触的所述侧壁与所述间隔物结构之间延伸。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述间隔物结构和所述场钝化层包括不同的材料；以及其中所述场钝化层直接接触所述直接接触的所述侧壁。

3.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中所述直接接触包括多晶硅。

4.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中所述场钝化层包括非化学计量硅氧化物SiO_x，其中0.04≤x≤0.4。

5.根据权利要求4所述的器件，其中所述场钝化层具有或更小的厚度。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述位线包括下导电图案和在所述下导电图案上的上导电图案；其中所述间隔物结构在所述上导电图案的侧壁上延伸；以及其中所述场钝化层不在所述上导电图案的所述侧壁与所述间隔物结构之间延伸。

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述场钝化层包括具有在从1.28eV至1.7eV的范围内的带隙能量的材料。

8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中所述场钝化层在其中以在从1×10¹⁶cm^-3至1×10²¹cm^-3的范围内的浓度具有杂质。

9.根据权利要求8所述的集成电路器件，其中所述杂质选自由磷(P)、砷(As)、铋(Bi)和锑(Sb)构成的组。

10.根据权利要求9所述的集成电路器件，其中所述场钝化层接触所述有源区。

11.一种集成电路器件，包括：

衬底，包括有源区；

位线，在所述衬底上在平行于所述衬底的顶表面的第一方向上延伸，并包括下导电图案和上导电图案；

直接接触，设置在所述衬底的所述有源区与所述位线之间；

间隔物结构，设置在所述位线的两个侧壁上以覆盖所述直接接触的两个侧壁；以及

场钝化层，设置在所述直接接触的所述两个侧壁与所述间隔物结构之间。

12.根据权利要求11所述的集成电路器件，其中所述场钝化层接触所述直接接触的整个侧壁。

13.根据权利要求11所述的集成电路器件，其中所述直接接触包括多晶硅；以及其中所述场钝化层包括半绝缘材料。

14.根据权利要求11所述的集成电路器件，其中所述场钝化层包括硅氧化物SiO_x，其中0.04≤x≤0.4。

15.根据权利要求11所述的集成电路器件，其中所述场钝化层在垂直于所述第一方向且平行于所述衬底的所述顶表面的第二方向上具有第一厚度，所述第一厚度为或更小。

16.根据权利要求11所述的集成电路器件，其中所述直接接触的顶表面与所述下导电图案的顶表面共面；以及其中所述场钝化层沿着所述下导电图案的两个侧壁延伸。

17.根据权利要求16所述的集成电路器件，其中所述场钝化层覆盖所述下导电图案的所述两个侧壁的全部；以及其中所述下导电图案不直接接触所述间隔物结构。