[发明专利]存储控制器、存储系统及其操作方法在审
申请号: | 202111172213.9 | 申请日: | 2021-10-08 |
公开(公告)号: | CN114300010A | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 李英敏;申崇晚;俞景弼 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/4074 | 分类号: | G11C11/4074;G11C11/4076 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 控制器 存储系统 及其 操作方法 | ||
提供了一种存储控制器、存储系统及其操作方法。该存储系统包括存储设备和主机设备,该存储设备包括被配置为发送存储吞吐量信息的多个非易失性存储器,主机设备被配置为基于存储吞吐量信息来改变存储设备的连接配置,其中主机设备通过独立地改变存储设备和主机设备之间的发送器路径和接收器路径的配置来改变连接配置。
技术领域
本公开涉及存储控制器、存储系统及其操作方法。
背景技术
半导体存储器通过使用半导体元件来存储数据。易失性存储器设备是仅在通电时维持其数据的存储设备。易失性存储器设备的示例包括静态随机存取存储器(staticrandom-access memory,SRAM)、动态随机存取存储器(dynamic random-access memory,DRAM)和同步动态随机存取存储器(synchronous DRAM,SDRAM)。非易失性存储器(nonvolatile memory,NVM)设备是即使在断电时也能保留其数据的存储设备。NVM设备的示例包括只读存储器(read-only memory,ROM)、可编程ROM(programmable ROM,PROM)、电可编程ROM(electrically programmable ROM,EPROM)、电可擦除可编程ROM(electricallyerasable and programmable ROM,EEPROM)、闪存、相变随机存取存储器(phase-changerandom-access memory,PRAM)、磁随机存取存储器(magnetic random-access memory,MRAM)、电阻随机存取存储器(resistive random-access memory,RRAM)和铁电随机存取存储器(ferroelectric random-access memory,FRAM)。
在存储器设备中,读取和写入延迟不同,并且读取和写入吞吐量(throughput)也不同。出于各种原因,用于写入操作的、数据经由其被传输的接收器(Rx)路径和用于读取操作的、数据经由其被传输的发送器(Tx)路径具有不同的吞吐量,但是由于典型的主机设备不能识别存储器设备的内部状态,所以通常仅使用默认设置来连接主机设备和存储器设备。
发明内容
本公开的实施例提供了一种通过反映存储器设备的内部状态而连接到主机设备的存储控制器。
本公开的实施例提供了一种基于存储器设备的内部状态连接到主机设备的存储系统。
本公开的实施例还提供了一种基于存储设备的内部状态连接到主机设备的存储控制器的操作方法。
本公开的实施例还提供了一种基于存储器设备的内部状态连接到主机设备的存储系统的操作方法。
然而,本公开的实施例不限于本文阐述的那些。通过参考下面给出的本公开的详细描述,本公开的上述和其他实施例对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。
根据本公开的实施例,存储系统包括存储设备,该存储设备包括多个非易失性存储器。存储设备被配置为输出存储吞吐量信息(storage throughput information)。存储系统包括被配置为基于存储吞吐量信息改变存储设备的连接配置的主机设备,其中主机设备通过改变存储设备和主机设备之间的发送器路径和接收器路径的配置来改变连接配置,使得发送器路径的配置和接收器路径的配置被独立地改变。
根据本公开的另一实施例,一种包括通用闪存(UFS)主机和通用闪存设备的通用闪存系统的操作方法,包括:完成UFS主机和UFS设备之间的M-PHY链路配置的设置,由UFS主机发送读取描述符的查询请求,由UFS设备输出对应于该查询请求的查询响应,该查询响应包括资源描述符,该资源描述符包括M-PHY链路配置的返回值;由UFS主机基于资源描述符的返回值来重新设置(reset)通用闪存设备的链路属性;由UFS主机向UFS设备发送与被重新设置的链路属性相对应的链路属性改变请求;以及由UFS设备响应于链路属性改变请求来改变链路属性;以及由UFS设备发送链路属性改变响应。
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