[发明专利]可重新配置的互补金属氧化物半导体装置及方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

N型场效应晶体管；以及

P型场效应晶体管，

其中，该N型场效应晶体管与该P型场效应晶体管包括阈值电压可编程场效应晶体管，该N型场效应晶体管与该P型场效应晶体管并联电性连接，并且该N型场效应晶体管与该P型场效应晶体管具有电性连接的栅极。

2.如权利要求1所述的装置，

其中，该N型场效应晶体管包括：第一本体；在该第一本体中，横向位于第一源极区与第一漏极区之间的第一沟道区；以及位于该第一沟道区上的第一栅极，

其中，该P型场效应晶体管包括：第二本体；在该第二本体内，横向位于第二源极区与第二漏极区之间的第二沟道区；以及位于该第二沟道区上的第二栅极，以及

其中，该装置还包括：位于该第一漏极区与该第二源极区之间的接合处的输出节点，位于该第一源极区与该第二漏极区之间的接合处的接地节点，位于该第一栅极与该第二栅极之间的接合处的输入节点，位于该第一本体处的第一编程节点，以及位于该第二本体处的第二编程节点。

3.如权利要求1所述的装置，

其中，该N型场效应晶体管具有多个不同的可编程正阈值电压，

其中，该P型场效应晶体管具有多个不同的可编程负阈值电压，以及

其中，该装置具有随该N型场效应晶体管的该多个不同的可编程正阈值电压及该P型场效应晶体管的该多个不同的可编程负阈值电压变化的多种不同操作模式。

4.如权利要求3所述的装置，其中，当该装置操作于该多种不同操作模式的其中特定一种时，该装置呈现多条不同的漏极电流-栅极电压曲线的其中特定一条。

5.如权利要求1所述的装置，

其中，该N型场效应晶体管具有多个不同的可编程正阈值电压，该多个不同的可编程正阈值电压至少包括低正阈值电压及高正阈值电压，

其中，该P型场效应晶体管具有多个不同的可编程负阈值电压，该多个不同的可编程负阈值电压至少包括低负阈值电压及高负阈值电压，以及

其中，该装置具有至少四种不同的装置状态，包括：

第一状态，其中，该N型场效应晶体管具有该低正阈值电压且该P型场效应晶体管具有该低负阈值电压；

第二状态，其中，该N型场效应晶体管具有该低正阈值电压且该P型场效应晶体管具有该高负阈值电压；

第三状态，其中，该N型场效应晶体管具有该高正阈值电压且该P型场效应晶体管具有该高负阈值电压；以及

第四状态，其中，该N型场效应晶体管具有该高正阈值电压且该P型场效应晶体管具有该低负阈值电压。

6.如权利要求5所述的装置，

其中，该N型场效应晶体管的该多个不同的可编程正阈值电压还包括超低正阈值电压，

其中，该P型场效应晶体管的该多个不同的可编程负阈值电压还包括超低负阈值电压，以及

其中，该装置状态还包括第五状态，其中，该N型场效应晶体管具有该超低正阈值电压且该P型场效应晶体管具有该超低负阈值电压。

7.如权利要求1所述的装置，其中，该阈值电压可编程场效应晶体管包括铁电场效应晶体管、电荷捕获场效应晶体管以及浮栅场效应晶体管的其中任意一种。

8.如权利要求1所述的装置，其中，该栅极包括单个栅极结构的不同部分。

9.一种方法，包括：

提供衬底；以及

在该衬底上形成装置，其中，该装置的该形成包括形成N型场效应晶体管及P型场效应晶体管，其中，该N型场效应晶体管与该P型场效应晶体管包括阈值电压可编程场效应晶体管，该N型场效应晶体管与该P型场效应晶体管并联电性连接，并且该N型场效应晶体管与该P型场效应晶体管具有电性连接的栅极。