[发明专利]一种绝缘栅双极型场效应管、功率模组及功率变换器

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型场效应管IGBT，其特征在于，包括：半导体芯片、设置在所述半导体芯片周围的m个栅极引脚和设置在所述半导体芯片上的n个栅区域；所述m和n均为大于等于2的整数；所述n大于等于所述m；

所述n个栅区域分为至少m组栅区域，所述m组栅区域分别连接所述m个栅极引脚；

所述IGBT工作时，所述m个栅极引脚中不同数量的栅极引脚被驱动对应所述IGBT适用于不同的开关频率。

2.根据权利要求1所述的IGBT，其特征在于，所述IGBT的导通损耗与所述被驱动的栅极引脚数量a成反比，所述IGBT的开关损耗与所述m-a成反比；所述IGBT的开关频率与所述a成反比。

3.根据权利要求1或2所述的IGBT，其特征在于，至少一组所述栅区域包括多个栅区域，至少一组所述栅区域中包括的多个栅区域短接在一起后连接对应的栅极引脚。

4.根据权利要求1或2所述的IGBT，其特征在于，所述m组栅区域中至少一组栅区域中包括的多个栅区域分别连接对应的栅极引脚。

5.根据权利要求1-4任一项所述的IGBT，其特征在于，所述m组栅区域中每组栅区域均包括多个栅区域，且每组栅区域包括的栅区域的数量相同。

6.根据权利要求1-5任一项所述的IGBT，其特征在于，所述m为2，所述IGBT包括2个栅极引脚，所述n个栅区域分为2组栅区域，所述2组栅区域分别连接所述2个栅极引脚。

7.根据权利要求1-5任一项所述的IGBT，其特征在于，所述m为3，所述IGBT包括3个栅极引脚，所述n个栅区域分为3组栅区域，所述3组栅区域分别连接所述3个栅极引脚。

8.一种功率模组，其特征在于，包括：半导体芯片；

所述半导体芯片上设置多个IGBT；

所述半导体芯片周围设置每个所述IGBT的栅极引脚；每个所述IGBT包括多个栅极引脚；

所述半导体芯片上设置每个IGBT的多个栅区域；

所述每个IGBT的多个栅区域均连接到所述多个栅极引脚；

所述功率模组工作时，所述多个栅极引脚中不同数量的栅极引脚被驱动对应所述功率模组适用于不同的开关频率。

9.一种功率变换器，其特征在于，包括：驱动电路和权利要求1-7任一项所述的IGBT；

所述驱动电路，用于驱动所述IGBT的至少一个栅极引脚；所述驱动电路驱动的栅极引脚的数量不同，对应所述功率变换器的工作频率不同。

10.根据权利要求9所述的功率变换器，其特征在于，所述驱动电路输出P路驱动信号，所述P大于等于2；所述P小于等于所述m，每路所述驱动信号连接所述一个栅极引脚。