[发明专利]功能可变的太赫兹控制器

权利要求书

1.一种功能可变的太赫兹控制器，其特征在于包括太赫兹波输入端1、反射太赫兹波输出端12、N×N个单元结构7，N为自然数；N×N个单元结构7周期排列在与太赫兹波输入方向垂直的平面上，单元结构7包括顶层组合图案11、硅介质层2、二硫化钨薄膜3、金属光栅8、二氧化硅介质层4和金属底板5；其中，顶层组合图案11位于硅介质层2上方，由四缺口二硫化钨圆环9和十字镂空二硫化钨圆盘10组成。

2.如权利要求1所述的一种功能可变的太赫兹控制器，其特征在于所述的周期排列的N×N个单元结构7的正视图为正方形，正方形边长为90~110μm。

3.如权利要求1所述的一种功能可变的太赫兹控制器，其特征在于所述的顶层组合图案11厚度为1~5μm，材料为二硫化钨。

4.如权利要求1所述的一种功能可变的太赫兹控制器，其特征在于所述的硅介质层2，厚度为20~30μm。

5.如权利要求1所述的一种功能可变的太赫兹控制器，其特征在于所述的二硫化钨薄膜3，厚度为1.5~2.0μm。

6.如权利要求1所述的一种功能可变的太赫兹控制器，其特征在于所述的二氧化硅层4，厚度为29~33μm。

7.如权利要求1所述的一种功能可变的太赫兹控制器，其特征在于所述的金属光栅8，厚度为0.4~0.6μm，材料为金，光栅宽度为28~32μm。

8.如权利要求1所述的一种功能可变的太赫兹控制器，其特征在于所述的金属底板5，厚度为0.4~0.6μm，材料为金。

9.如权利要求1所述的一种功能可变的太赫兹控制器，其特征在于所述的四缺口二硫化钨圆环9的内径为29~33μm，圆环宽度为5~9μm，开口宽度为8~12μm；十字镂空二硫化钨圆盘10的半径为26~30μm，镂空的十字结构的长为46~50μm、宽为19~23μm，顶层组合图案的材料均为二硫化钨。