[发明专利]具有缓冲保护膜的异质结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.具有缓冲保护膜的异质结太阳能电池，它包括晶体硅衬底（1），晶体硅衬底的正反两面均沉积有非晶硅本征层（2），每层非晶硅本征层（2）的外侧分别沉积有N-型掺杂非晶硅层（3）和P-型掺杂非晶硅层（4），N-型掺杂非晶硅层（3）和P-型掺杂非晶硅层（4）的外侧分别沉积有透明导电层（6），每层透明导电层（6）的外侧均设有金属电极（7），其特征在于：

所述P-型掺杂非晶硅层（4）和相邻的透明导电层（6）之间设有缓冲保护透明导电膜（5）。

2.根据权利要求1所述的具有缓冲保护膜的异质结太阳能电池，其特征在于：所述缓冲保护透明导电膜采用掺硼氧化锌BZO制成。

3.根据权利要求1或2所述的具有缓冲保护膜的异质结太阳能电池，其特征在于：所述透明导电层（6）采用ITO掺锡氧化铟制成。

4.根据权利要求1或2所述的具有缓冲保护膜的异质结太阳能电池，其特征在于：所述缓冲保护透明导电膜（5）的厚度为10-20nm，所述透明导电层（6）的总厚度为70-110nm。

5.根据权利要求3所述的具有缓冲保护膜的异质结太阳能电池，其特征在于：所述缓冲保护透明导电膜（5）的厚度为10-20nm，所述透明导电层（6）的总厚度为70-110nm。

6.根据权利要求5所述的具有缓冲保护膜的异质结太阳能电池，其特征在于：所述N-型掺杂非晶硅层（3）侧的透明导电层（6）为至少一层的复合透明导电层。

7.根据权利要求6所述的具有缓冲保护膜的异质结太阳能电池，其特征在于：所述缓冲保护透明导电膜（5）侧的透明导电层（6）为至少一层的复合透明导电层。

8.一种实现权利要求1-7所述的具有缓冲保护膜的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步：选取晶体硅衬底（1）进行制绒、清洗处理；

第二步：通过等离子体增强化学气相沉积方法PECVD在晶体硅衬底（1）正反两面沉积制备非晶硅本征层（2），厚度为5-8nm；

第三步：通过等离子体增强化学气相沉积方法PECVD在晶体硅衬底（1）正面非晶硅本征层（2）上沉积制备P-型掺杂非晶硅层（4），厚度为8–16nm；

第四步：通过等离子体增强化学气相沉积方法PECVD在晶体硅衬底（1）反面非晶硅本征层（2）上沉积制备N-型掺杂非晶硅层（3），厚度为5–9nm；

第五步：使用LPCVD方法在P-型掺杂非晶硅层（4）上沉积制备掺硼氧化锌缓冲保护透明导电膜（5），厚度为10–20nm；

第六步：使用PVD方法在掺硼氧化锌薄膜（5）上沉积制备掺锡氧化铟透明导电层（6），总厚度为70–100nm；

第七步：使用PVD方法在N-型掺杂非晶硅层（3）上沉积制备掺锡氧化铟透明导电层（6），总厚度为80–110nm；

第八步：通过丝网印刷在掺锡氧化铟ITO透明导电层（6）上形成金属Ag电极（7）；

第九步：烧结固化使得金属Ag电极（7）和掺锡氧化铟透明导电层（6）之间形成良好的欧姆接触。