[发明专利]一种侵彻引信用电容传感器信号调理电路

权利要求书

1.一种侵彻引信用电容传感器信号调理电路，其特征在于，所述信号调理电路由振荡器电路、运算放大电路和二极管峰值包络检波电路依次串联组成；

所述振荡器电路用于产生设定频率的正弦交流信号S2，其作为载波信号；运算放大电路利用调制信号对载波信号进行放大，得到输出信号S3，二极管峰值包络检波电路将输出信号S3的峰值包络检测出来，得到解调后的输出信号S4，所述输出信号S4输出给AD转换器；其中，调制信号为侵彻引信用电容传感器输出的硬目标侵彻时的变化的电容信号S1。

2.如权利要求1所述的侵彻引信用电容传感器信号调理电路，其特征在于，所述侵彻引信用电容传感器采用变极距型电容传感器。

3.如权利要求1所述的侵彻引信用电容传感器信号调理电路，其特征在于，所述振荡器电路包括：电阻R1～R4，电容C1～C4，电感L1及半导体三极管Q2；

所述电阻R1的一端同时与半导体三极管Q2的基极、电容C1的一端及电阻R2的一端相连，另一端与电源相接；电容C1和电阻R2的另一端接地；

所述电阻R3的一端同时与半导体三极管Q2的集电极、电容C2的一端及电感L1的一端相连，半导体三极管Q2、电容C2及电感L1的公共端作为振荡器电路的输出端，得到输出信号S2，电阻R3的另一端与电源相接，电容C2的另一端同时与半导体三极管Q2的发射极、电容C3的一端及电阻R4的一端相接，电感L1的另一端与电容C4的一端相接，电阻R4、电容C3和电容C4的另一端均接地。

4.如权利要求3所述的侵彻引信用电容传感器信号调理电路，其特征在于，所述振荡器电路还包括：电容C5，电容C5的一端与半导体三极管Q2、电容C2及电感L1的公共端相连，另一端作为振荡器电路的输出端。

5.如权利要求4所述的侵彻引信用电容传感器信号调理电路，其特征在于，R1＝10KΩ，R2＝5.6KΩ，R3＝1.5KΩ，R4＝1KΩ，C1＝10nF，C2＝10nF，C3＝22nF，C4＝1nF，C5＝10nF，L1＝100μH。

6.如权利要求1-5中任意一项所述的侵彻引信用电容传感器信号调理电路，其特征在于，所述运算放大电路包括：运算放大器A1、电容C6和电阻R5；

所述电容C6的一端接收振荡器电路产生的正弦交流信号S2，另一端同时与运算放大器A1的反向输入端、电阻R5的一端以及侵彻引信用电容传感器输出的一端相连，侵彻引信用电容传感器输出的另一端以及电阻R5的另一端均与运算放大器A1的输出端相连，侵彻引信用电容传感器、电阻R5和运算放大器A1的公共端用于得到输出信号S3，运算放大器A1的正向输入端接地。

7.如权利要求6所述的侵彻引信用电容传感器信号调理电路，其特征在于，R5＝150KΩ，C6＝20pF，运算放大器A1采用高输入阻抗运算放大器。

8.如权利要求6所述的侵彻引信用电容传感器信号调理电路，其特征在于，所述二极管峰值包络检波电路包括：二极管D1、电阻R6～R7以及电容C7，二极管D1正极接收运算放大电路的输出信号S3，作为二极管峰值包络检波电路的输入信号，负极与电阻R6的一端相接，电阻R6的另一端与电容C7和电阻R7的一端相接，电容C7和电阻R7的另一端均接地。

9.如权利要求8所述的侵彻引信用电容传感器信号调理电路，其特征在于，R6＝1KΩ，C7＝22nF，R7＝5.6KΩ。

10.如权利要求1-5中任意一项所述的侵彻引信用电容传感器信号调理电路，其特征在于，所述输出信号S4的中值为AD转换器采集范围的中值。