[发明专利]一种用于金刚石生长的沉积装置有效

专利信息
申请号: 202111175843.1 申请日: 2021-10-09
公开(公告)号: CN113832540B 公开(公告)日: 2023-10-13
发明(设计)人: 魏浩胤;蒋琛 申请(专利权)人: 航天科工(长沙)新材料研究院有限公司
主分类号: C30B25/16 分类号: C30B25/16;C30B25/20;C30B29/04;C30B25/12
代理公司: 北京锺维联合知识产权代理有限公司 11579 代理人: 黄利萍
地址: 410000 湖南省长沙市长沙高新开发区文轩路*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 金刚石 生长 沉积 装置
【权利要求书】:

1.一种用于金刚石生长的沉积装置,其特征在于,包括:支撑台、升降台和钼托,所述支撑台的中间形成有中空部;所述钼托包括基体和设置在基体中间的屏蔽部,所述基体设置在所述支撑台上,所述屏蔽部上形成有多个间隔设置的屏蔽孔;所述升降台可升降地设置在所述中空部中,所述升降台的上方形成有多个与所述屏蔽孔相适配的支撑柱,所述支撑柱的顶部用于放置金刚石籽晶;其中,在所述金刚石的生长过程中,通过调节所述升降台的高度,使得所述金刚石的上表面和所述钼托的相对位置保持不变,并且每个支撑柱保持插入在对应的屏蔽孔中的状态。

2.根据权利要求1所述的用于金刚石生长的沉积装置,其特征在于,所述屏蔽孔的最大尺寸被设置为至少小于金刚石生长过程中施加的电磁波的波长的四分之一。

3.根据权利要求2所述的用于金刚石生长的沉积装置,其特征在于,所述屏蔽孔的最大尺寸被设置为等于电磁波的波长的八分之一。

4.根据权利要求1所述的用于金刚石生长的沉积装置,其特征在于,所述多个屏蔽孔形成为阵列结构。

5.根据权利要求1所述的用于金刚石生长的沉积装置,其特征在于,所述屏蔽部的上表面低于所述基体的上表面。

6.根据权利要求1所述的用于金刚石生长的沉积装置,其特征在于,所述支撑柱的高度被设置为大于等于金刚石的生长厚度。

7.根据权利要求1所述的用于金刚石生长的沉积装置,其特征在于,所述支撑柱上还设置有支撑垫,所述金刚石籽晶放置在所述支撑垫上。

8.根据权利要求7所述的用于金刚石生长的沉积装置,其特征在于,所述支撑垫为隔热垫。

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