[发明专利]一种晶圆预对准装置和预对准方法在审
申请号: | 202111176229.7 | 申请日: | 2021-10-09 |
公开(公告)号: | CN113921437A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 章秀国;叶莹 | 申请(专利权)人: | 上海果纳半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 顾品荧 |
地址: | 200000 上海市中国(上海)*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆预 对准 装置 方法 | ||
1.一种晶圆预对准装置,包括底板,所述底板上方设置有与其平行的承载板,所述承载板上设置有旋转底座,所述旋转底座上设置有与其同步转动的真空吸附平台,所述旋转底座一侧设置有用于晶圆精准对准的视觉检测单元,其特征在于:还包括设置在底板上的顶升对中机构,所述顶升对中机构能顶起或放下真空吸附平台上的晶圆,并能推动晶圆相对真空吸附平台水平移动直至晶圆的圆心与所述真空吸附平台的中线重合。
2.根据权利要求1所述的晶圆对准装置,其特征在于:所述顶升对中机构包括顶升装置和对中装置,所述对中装置包括对称设置在真空吸附平台两侧的左对中挡板和右对中挡板,所述左对中挡板和右对中挡板在对中驱动件作用下相对或相向运动,所述左对中挡板和右对中挡板向相互靠近时,推动所述晶圆相对真空吸附平台的中线对中。
3.根据权利要求2所述的晶圆对准装置,其特征在于:所述左对中挡板自其上端面向下开设有圆弧结构的凹槽,所述凹槽的弧度与晶圆一致,所述晶圆的侧壁能与凹槽的侧壁抵靠,所述晶圆的下端面能与凹槽的槽底抵靠,所述左对中挡板和右对中挡板相互靠近时,所述晶圆在两个凹槽推动下相对真空吸附平台的中线对中。
4.根据权利要求2所述的晶圆对准装置,其特征在于:所述顶升装置包括顶升驱动件和在顶升驱动件作用下同步升降的左顶升架和右顶升架,所述顶升驱动件固定在底板上,所述左顶升架和右顶升架相对真空吸附平台对称设置且两者之间固定连接有顶升板,所述顶升板与顶升驱动件的输出轴连接。
5.根据权利要求4所述的晶圆对准装置,其特征在于:所述左顶升架和右顶升架的上端面设置有多个能与晶圆下端面抵靠的接触凸点,所述接触凸点采用peek材料。
6.根据权利要求2所述的晶圆对准装置,其特征在于:所述顶升装置包括顶升驱动件和安装座,所述安装座固定在底板上,所述顶升驱动件的输出轴与对中驱动件固定连接,所述顶升驱动件驱动对中装置升降。
7.根据权利要求4或6所述的晶圆预对准装置,其特征在于:所述对中驱动件和顶升驱动件均位于承载板和底板之间。
8.一种晶圆预对准方法,其特征在于:首先通过机械手将晶圆传送到真空吸附平台上;然后启动顶升对中机构,通过顶升装置顶起真空吸附平台上的晶圆,并利用对中装置的凹槽将晶圆相对真空吸附平台的中线进行初次粗对中;接着顶升装置下降,将晶圆再次放置到吸附平台上;最后真空吸附平台吸附晶圆,旋转底座带动晶圆旋转,通过视觉检测单元计算出晶圆圆心位置和晶圆缺口或平口位置,并把缺口或平口位置调整到所需角度,完成二次精细预对中。
9.根据权利要求8所述的晶圆对准方法,其特征在于:在初次粗对中前,还可对晶圆进行一次精细预对中,所述一次精细预对中与二次精细预对中方法相通,若一次精细预对中的对中精度满足阈值要求,则结束,否则再进行初次粗对中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造