[发明专利]一种耐烧蚀陶瓷基复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202111177735.8 | 申请日： | 2021-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN113860917B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 陈昊然;杨良伟;于艺;张宝鹏;李晓东;霍鹏飞;刘伟;宋环君;刘俊鹏;于新民;孙同臣 | 申请（专利权）人： | 航天特种材料及工艺技术研究所 |
| 主分类号： | C04B41/87 | 分类号： | C04B41/87;C04B41/80;C23C14/24;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京格允知识产权代理有限公司 11609 | 代理人： | 谭辉 |
| 地址： | 100074 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 耐烧蚀 陶瓷 复合材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种耐烧蚀陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
将金属铪置于真空环境中，通入碳源气体，并加热至蒸发温度，然后对陶瓷基复合材料进行蒸镀，得到包含HfC层的所述耐烧蚀陶瓷基复合材料；其中，所述HfC层的厚度为15-20μm；
所述加热至蒸发温度，包括如下子步骤：
将所述金属铪置于蒸发源中，通入碳源气体，然后对所述蒸发源施加0.5-2A电流和500-1000V电压，以将所述蒸发源加热至所述蒸发温度；
所述蒸镀采用分子束外延生长法；
所述蒸发温度为1500-2000℃；
所述蒸镀的蒸镀时间为30-60min；
所述真空环境的真空压力为1×10-10-1×10-4mbar；
在所述通入碳源气体之后，真空环境的压力为1×10-8-1×10-3mbar；
所述碳源气体为选自CH4、C2H4、C2H2或C3H6中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：
将所述耐烧蚀陶瓷基复合材料进行退火处理。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：
所述退火处理的温度为500-800℃；
所述退火处理的时间为5-10min；和/或
所述退火处理的压力为1×10-9-1×10-3mbar。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：
在所述对陶瓷基复合材料进行蒸镀之前，还包括对所述陶瓷基复合材料进行预处理的步骤：在真空压力为1×10-8-1×10-5mbar，温度为400-700℃的条件下进行退火处理10-30min。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：
所述金属铪的纯度≥95％；
所述金属铪的粒径为0.05-50μm。
6.一种耐烧蚀陶瓷基复合材料，其特征在于，采用权利要求1至5中任一所述的制备方法制备得到。
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