[发明专利]一种激光雷达发射装置和方法

权利要求书

1.一种激光雷达发射装置，其特征在于，包括电路板，其中，所述电路板的正面包括限流电阻器、储能电容器、场效应晶体管和激光芯片，

所述场效应晶体管，设置在所述电路板的中部并邻近所述储能电容器和所述限流电阻器；

所述激光芯片，用于在所述场效应晶体管的控制下发出激光信号并设置在所述电路板的右边缘的中部；

所述限流电阻器，在所述电路板上设置为远离所述激光芯片的左上角或左下角处，以控制所述电路板的温度；以及

所述储能电容器，在所述电路板上位于所述激光芯片和所述场效应晶体管之间，其中，所述电路板的尺寸不变。

2.根据权利要求1所述的激光雷达发射装置，其特征在于，

所述场效应晶体管，栅极接收脉冲控制信号，源极接地以及漏极电连接至所述激光芯片，用于基于所述脉冲控制信号控制所述场效应晶体管进行脉冲放电；

所述限流电阻器的一端连接外部电源，另一端连接所述储能电容器的一端和所述激光芯片；以及

所述储能电容器的另一端接地。

3.根据权利要求1所述的激光雷达发射装置，其特征在于，所述电路板的基材的导热系数类似于所述激光芯片的基材的导热系数，以避免所述电路板与所述激光芯片的基材变形之间的差异而导致的翘曲。

4.根据权利要求1所述的激光雷达发射装置，其特征在于，所述储能电容器为裸片储能电容器并且所述激光芯片为裸片激光芯片，其中，

所述储能电容器与所述激光芯片引线键合；以及

导热胶覆盖所述储能电容器、所述激光芯片以及介于所述储能电容器与所述激光芯片之间的引线。

5.根据权利要求1所述的激光雷达发射装置，其特征在于，所述限流电阻器包括薄膜贴片电阻器或者厚膜贴片电阻器，其中，所述限流电阻器以倒装方式焊接在所述电路板的正面上，使得所述限流电阻器的电阻发热区域紧密接触所述电路板的正面，并使用导热胶进行缝隙填充并覆盖整个限流电阻器。

6.根据权利要求1所述的激光雷达发射装置，其特征在于，还包括半导体制冷器和金属基座，其中

所述半导体制冷器的顶面，与所述电路板的底面接触并粘贴；以及

所述半导体制冷器的底面，与所述金属基座的顶面接触。

7.根据权利要求6所述的激光雷达发射装置，其特征在于，其中，

所述金属基座的尺寸大于或等于基板的尺寸；或者

所述金属基座的尺寸等于所述基板上的主要发热器件的尺寸，其中，所述主要发热部件包括所述限流电阻器和所述激光芯片。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的激光雷达发射装置，其特征在于，所述电路板的基材包括AlN，以及所述电路板的尺寸为30mm×30mm。

9.一种激光雷达发射方法，其特征在于，包括：电路板的尺寸不变的情况下，将场效应晶体管、激光芯片、限流电阻器和储能电容器设置在电路板的正面上，其中，

将所述场效应晶体管设置在所述电路板的中部并设置为邻近所述储能电容器和所述限流电阻器；

将所述激光芯片设置在所述电路板的右边缘的中部；

将所述限流电阻器设置为远离所述激光芯片的左上角或左下角处，以控制所述电路板的温度；以及

将所述储能电容器设置在所述激光芯片和所述场效应晶体管之间，用于在所述场效应晶体管的控制下发出激光信号。

10.根据权利要求9所述的激光雷达发射方法，其特征在于，

将所述电路板的基材的导热系数选择为类似于所述激光芯片的基材的导热系数；

将所述储能电容器与所述激光芯片引线键合；

将所述限流电阻器以倒装方式焊接在所述电路板的正面上；以及

使用导热胶覆盖整个限流电阻器，以及使用导热胶覆盖所述储能电容器、所述激光芯片以及介于所述储能电容器与所述激光芯片之间的引线。