[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202111180148.4 | 申请日: | 2021-10-11 |
公开(公告)号: | CN114388582A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 林相亨;金奎民;梁熙元;李东河 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/15 |
代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 朴英淑 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
第一导电层,位于基板上;
晶体管,位于所述基板上;以及
发光元件,与所述晶体管电连接,
所述晶体管包括:
半导体层,至少一部分与所述第一导电层重叠,且位于所述第一导电层上;以及
栅电极,位于所述半导体层上,
所述半导体层包括:
第一区域,与所述第一导电层间隔开;
第二区域,与所述第一导电层的边缘位置重叠;以及
第三区域,与所述第一导电层重叠,
在所述第一区域彼此相向的两个边缘位置之间的所述半导体层的第一宽度小于在所述第二区域与所述第一导电层重叠的所述半导体层的第二宽度。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第二区域具有从所述第一区域及所述第三区域的边缘位置突出的形态。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
所述第二区域以三角形或半圆形的平面形态突出。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
所述第二区域包括突出的程度最大的末端,所述第二区域的所述末端与所述第一导电层重叠。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述半导体层的在所述第三区域彼此相向的两个边缘位置之间的距离是第三宽度,
所述第一宽度和所述第三宽度恒定。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,
所述第一宽度与所述第三宽度相同。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其中,
所述第一宽度小于所述第三宽度。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第二区域的边缘位置是直线形态。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第二区域的边缘位置是曲线形态。
10.一种显示装置,包括:
第一导电层,位于基板上;
晶体管,位于所述基板上;以及
发光元件,与所述晶体管电连接,
所述晶体管包括:
半导体层,一部分与所述第一导电层重叠,且位于所述第一导电层上;以及
栅电极,与所述半导体层的沟道重叠,且位于所述半导体层上,所述半导体层包括:
第一区域,与所述第一导电层间隔开;
第二区域,包括横穿所述第一导电层的边缘位置;以及
第三区域,与所述第一导电层重叠,
所述第二区域从所述第一区域及所述第三区域突出。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,
在所述第一区域彼此相向的两个边缘位置之间的所述半导体层的第一宽度小于在所述第二区域与所述第一导电层的边缘位置重叠的所述半导体层的第二宽度。
12.根据权利要求10所述的显示装置,其中,
所述第二区域包括相对于所述第一导电层倾斜的一个边缘位置,
所述一个边缘位置的末端与所述第一导电层重叠。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,
所述第二区域包括朝向所述第一导电层变宽的形态。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,
所述第二区域包括朝向所述第三区域变窄的形态。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,
所述第二区域具有多边形态或半圆形态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的