[发明专利]限制环以及等离子体处理装置

权利要求书

1.一种限制环，用于等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括基座，所述限制环围绕所述基座设置于所述等离子体处理装置的等离子体反应区域和排气区域之间，其特征在于，包括同心设置的多个环板，多个所述环板沿所述基座的径向排列，相邻两个环板之间的缝隙形成气体通道；

至少两个环板具有磁性，相邻两个具有磁性的环板之间形成磁场，所述磁场限制从所述等离子体反应区域排出的带电粒子由所述气体通道流入所述排气区域。

2.如权利要求1所述的限制环，其特征在于，所述磁场的方向沿所述环板的径向。

3.如权利要求1所述的限制环，其特征在于，相邻两个环板之间的缝隙的宽度相同或不同。

4.如权利要求3所述的限制环，其特征在于，处于所述磁场内的缝隙的宽度大于处于所述磁场外的缝隙的宽度。

5.如权利要求1所述的限制环，其特征在于，位于同心设置的多个环板最内侧的环板与位于同心设置的多个环板最外侧的环板具有磁性。

6.如权利要求1所述的限制环，其特征在于，具有磁性的环板与不具有磁性的环板间隔设置。

7.如权利要求1所述的限制环，其特征在于，所有环板均具有磁性。

8.如权利要求1所述的限制环，其特征在于，具有磁性的环板由永磁体制成。

9.如权利要求7所述的限制环，其特征在于，所述永磁体采用钕铁硼磁体。

10.如权利要求1所述的限制环，其特征在于，所述环板表面具有绝缘镀层。

11.如权利要求10所述的限制换，其特征在于，所述绝缘镀层为稀土元素的氧化物或氟氧化物中的至少一种。

12.一种等离子体处理装置，包括由腔壁围成的反应腔，所述反应腔内具有等离子体反应区域和排气区域，所述反应腔内设置有基座，其特征在于，权利要求1-11任一所述的限制环设置在等离子体反应区域和排气区域之间，且位于基座外周围与反应腔内壁之间。

13.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述反应腔内具有射频屏蔽区，所述限制环设置于所述射频屏蔽区内。

14.如权利要求13所述的等离子处理装置，其特征在于，所述基座外围设有沿所述基座的轴向延伸的第一接地环和沿所述基座的径向延伸的第二接地环，所述第一接地环连接所述第二接地环，所述第一接地环的底部连接所述反应腔的底壁，所述第二接地环连接所述反应腔的侧壁。

15.如权利要求14所述的等离子处理装置，其特征在于，所述射频屏蔽区是位于所述第二接地环下方的区域。