[发明专利]一种低渗土体VOCs污染的修复方法在审

专利信息
申请号: 202111182167.0 申请日: 2021-10-11
公开(公告)号: CN114054496A 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 许龙;朱方华;查甫生;储诚富;康博;胡心怡;闫沥学 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: B09C1/10 分类号: B09C1/10
代理公司: 合肥信诚兆佳知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34159 代理人: 崇鑫
地址: 230009 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 低渗土体 vocs 污染 修复 方法
【权利要求书】:

1.一种低渗土体VOCs污染的修复方法,其特征在于,利用注入泵(3),通过多个注入井(5)在低渗土体VOCs污染区周围注入表面活性剂以提高污染土体气体渗透性和增强污染物VOCs在土体中的解吸作用,然后在低渗土体VOCs污染区周围注入培养的土著优势降解菌液,最后通过气泵(1)在曝气井(6)中进行脉冲曝气,具体地,包括以下步骤:

步骤1、通过地质勘查的手段查明低渗土体VOCs污染区深度和范围,并将低渗土体VOCs污染区的上端面深度记为h0,下端面深度记为h1;

步骤2、布设曝气井系统;

所述曝气井系统包括气泵(1)、气体管道(2)和曝气井(6);所述曝气井(6)按正三角形方式布设,垂直穿过土体的非饱和区插入低渗土体VOCs污染区;曝气井(6)底部为曝气口(7),记曝气口(7)下端面深度为h2,且满足1m≤h2-h1≤3m;

步骤3、布设注入井系统;

所述注入井系统包括注入泵(3)、液体管道(4)和多个注入井(5);所述多个注入井(5)垂直穿过土体的非饱和区均匀布设于低渗土体VOCs污染区处,注入井(5)底部深度记为h3,其满足h0≤h3≤h1;

步骤4、注入表面活性剂;

利用注入泵(3)将表面活性剂经液体管道(4)和多个注入井(5)注入到低渗VOCs污染区,注完后静置一天;

步骤5、注入土著优势降解菌液;且其主要包括以下步骤:

步骤5.1、微生物培养;

现场取VOCs污染土500g,在培养基中进行间歇培养,每2天更换一次培养基,培养14天;

步骤5.2、微生物驯化;

控制pH值在7.0-8.0之间,溶解氧含量在3.0-4.0mg/L之间,溶液温度为20℃,曝气流量约为30-60ml/min;VOCs溶液作为唯一碳源,VOCs浓度逐渐递增至与现场VOCs浓度相一致;

步骤5.3、利用注入泵(3)将驯化和培养好的土著优势降解菌液,经液体管道(4)和多个注入井(5)注入到低渗土体VOCs污染区;

步骤6、进行脉冲曝气修复;

待土著优势降解菌液注入完成后,立即进行脉冲曝气;调节气泵(1)至曝气压力为P,气体经气体管道(2)、曝气井(6)从曝气口(7)进行曝气;所述脉冲曝气压力为500-5000kPa,时间间隔为120-480min。

2.根据权利要求1所述的一种低渗土体VOCs污染的修复方法,其特征在于,所述的表面活性剂为N-月桂酰基氨酸钠溶液,浓度为2000~3000mg/L。

3.根据权利要求1所述的一种低渗土体VOCs污染的修复方法,其特征在于,所述曝气井(6)之间的距离为5-10m,注入井(5)之间的距离为2-5m。

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