[发明专利]一种双栅驱动设备的显示结构及显示装置在审
申请号: | 202111183321.6 | 申请日: | 2021-10-11 |
公开(公告)号: | CN113937110A | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 许星;边若梅;王建;张勇;秦相磊;金红贵;唐亮珍;张武霖;武志恺;张冬华;曲峰;尹晓峰;孙平原 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G09F9/30 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 庄何媛;范继晨 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 驱动 设备 显示 结构 显示装置 | ||
1.一种双栅驱动设备的显示结构,其特征在于,包括:
基板、薄膜晶体管以及栅线;
所述栅线用于传输显示信号,两条所述栅线贯穿显示结构中包括的每个像素区域;
每个所述像素区域内设置的两个所述薄膜晶体管分别设置在两条所述栅线形成的第一空间两侧。
2.根据权利要求1所述的显示结构,其特征在于,所述栅线与所述薄膜晶体管的栅极连接。
3.根据权利要求1所述的显示结构,其特征在于,所述薄膜晶体管位于所述像素区域的边角区域。
4.根据权利要求1所述的显示结构,其特征在于,还包括:
绝缘层和钝化层;
设置在所述绝缘层与所述钝化层之间的像素电极;
设置在所述钝化层上的公共电极。
5.根据权利要求4所述的显示结构,其特征在于,所述像素区域内包括一个像素电极以及一个公共电极,所述公共电极的中心线在所述基板上的投影与所述像素电极的中心线重叠在所述基板上的投影重合。
6.根据权利要求4所述的显示结构,其特征在于,所述公共电极的宽度为4.5um。
7.根据权利要求4所述的显示结构,其特征在于,两个相邻所述公共电极之间的间隔为5um。
8.根据权利要求4所述的显示结构,其特征在于,所述像素电极的宽度大于所述公共电极的宽度,所述像素电极的宽度与所述公共电极的宽度之间的宽度差值大于或等于5.8um。
9.根据权利要求1述的显示结构,其特征在于,所述栅线的宽度大于或等于3.5um,两条所述栅线之间的垂直距离大于或等于5.2um。
10.一种双栅驱动产品的显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至9中任一项所述的显示结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的