[发明专利]发光性能稳定的量子点复合转光材料及制备其的磁控溅射法

权利要求书

1.一种发光性能稳定的量子点复合转光材料，其特征在于，包括：

基底，所述基底为内部填充有量子点的聚硅氧烷微球；

磁控溅射膜，所述磁控溅射膜为通过磁控溅射法生成成膜物质并使所述成膜物质沉积在所述基底的表面而形成；所述成膜物质通过金属靶材和反应气体反应生成，所述靶材选自单晶硅、金属钛、金属铝或上述物料中的任意组合而形成的合金，所述反应气体选自O₂、N₂中的至少一种。

2.如权利要求1所述的发光性能稳定的量子点复合转光材料，其特征在于：所述磁控溅射膜的厚度为100～2000nm。

3.如权利要求1所述的发光性能稳定的量子点复合转光材料，其特征在于：所述磁控溅射膜由SiO₂、TiO₂、TiN、TiCN、Al₂O₃中的至少一种物质所构成。

4.如权利要求3所述的发光性能稳定的量子点复合转光材料，其特征在于：所述磁控溅射膜由SiO₂和Al₂O₃共同构成，在所述磁控溅射膜中，硅元素和铝元素的摩尔比介于3.5～11。

5.如权利要求1所述的发光性能稳定的量子点复合转光材料，其特征在于：以200～400nm、480～600nm为第一光谱范围，所述基底的吸收光谱在所述第一光谱范围内有至少一个吸收峰。

6.如权利要求5所述的发光性能稳定的量子点复合转光材料，其特征在于：所述基底的发射光谱在600～700nm的光谱范围内有至少一个发射峰。

7.如权利要求6所述的发光性能稳定的量子点复合转光材料，其特征在于：所述量子点为CuInS₂。

8.如权利要求7所述的发光性能稳定的量子点复合转光材料，其特征在于：所述量子点的表面被ZnS修饰。

9.一种制备发光性能稳定的量子点复合转光材料的磁控溅射法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，以惰性气体轰击靶材以使所述靶材溅射靶原子，形成辉光，其中，所述靶材为单晶硅、金属钛、金属铝或上述物料中的任意组合而形成的合金；

步骤二，通入反应气体与所述靶原子发生反应形成成膜物质，所述成膜物质沉积到基底的表面形成所述包覆膜，其中，所述反应气体选自O₂、N₂，所述基底为内部填充有量子点的聚硅氧烷微球。

10.如权利要求9所述制备发光性能稳定的量子点复合转光材料的磁控溅射法，其特征在于，还包括预备步骤：

将所述基底置于真空度为10^－4～10^－3Pa的反应区域内，加热所述基底至100～300℃。