[发明专利]一种高性能读写链表缓存的装置及方法有效
申请号: | 202111183720.2 | 申请日: | 2021-10-11 |
公开(公告)号: | CN113821457B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 朱修利 | 申请(专利权)人: | 芯河半导体科技(无锡)有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G06F12/0871;G06F16/901 |
代理公司: | 无锡权正知识产权代理事务所(普通合伙) 32735 | 代理人: | 王俊峰 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新吴区菱*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 性能 读写 缓存 装置 方法 | ||
本发明涉及数据处理技术领域,尤其涉及一种高性能读写链表缓存的装置,包括访问窗口控制模块、入队push的buffer缓存、出队pop的buffer缓存、链表RAM和读写冲突模块,所述访问窗口控制模块用于保证push不在pop访问链表RAM窗口内;入队push的buffer缓存和出队pop的buffer缓存用于使链表RAM的入队和出队处理不会因为上下游模块数据没有准备好而空闲;所述的读写冲突模块用于监控入队和出队冲突操作。本发明把入队push和出队pop独立开来,使得push和pop对链表的访问同时进行,提高了读写链表缓存的效率。
技术领域
本发明涉及数据处理技术领域,尤其涉及一种高性能读写链表缓存的装置及方法。
背景技术
在通信网路芯片设计中,经常遇到对入口的以太网报文、协议数据、控制信息按照一定优先级缓存,等待后一级的QOS调度或下一级装置准备好后再输出。这就需要在设计中增加RAM或DDR模块进行数据缓存,考虑网络传输速率和DDR读写访问延时,在芯片设计中更多使用RAM来缓存或RAM+DDR混合方式。在选择RAM类型时,因为双口RAM比单口RAM大,从降低设计芯片资源和功耗角度,选择单口RAM更加合适。
但是单口RAM一次只能进行“读”或“写”访问,如果不能很好控制RAM的读写操作,会降低RAM的使用效率。一般RAM读写方式有如下两种方式:方式一,等待RAM读取完数据后,根据读取的数据做逻辑判断,再进行RAM的“写”操作,访问时序如图6。该访问方式时序是最好的,综合出来的网表时钟频率最高。缺点是单口RAM使用率不高,在“读”和“写”会有空闲状态,造成浪费。另一种如图7的RAM控制方式,在发起RAM读后,对刚读出的数据进行判断,在读出数据同一拍去控制RAM写,把数据写入RAM。这个RAM访问时连续的,但是这种方式组合逻辑级数太长,造成setup时序变差,综合出的网表时钟频率不高。
使用图6的RAM读写方式,在链表设计中,需要存储上游入队的数据缓存,即通过链表的空闲指针映射成数据RAM的绝对地址,把上游的数据或控制信息写入到数据RAM中。并更新队列的链表,方便在出队时,按照入队的顺序输出。链表更新方式:先读取链表上一次入队的队尾(que_tail)地址,再以队尾为地址把当前空闲指针写入到链表RAM中。此外链表还要维护出队操作,即当QOS模块可调度或下一级装置处于准备状态,出队需要把队头(que_head)的报文或控制数据读取,再更新队头:以当前对头指针为地址,读取RAM获得链表下一个指针,填充到该que的que_head。并把当前对头que_head指针作为数据,空闲链表尾作为地址,回收到空闲链表中,链表的操作流程见图8。整体链表入队push和出队pop的时序见图9。从时序图可以看出在RAM多次读写操作时,RAM访问并没有完全利用起来,造成链表访问有一般时间在等RAM读或写数据完成。
因此,图8的方案虽然提高了综合时序,但RAM读写利用率不高,造成整体性能提升不明显,也不是一个好的设计方案。
发明内容
本发明提供了一种高性能读写链表缓存的装置及方法,把入队push和出队pop独立开来,使得push和pop对链表的访问同时进行,提高了读写链表缓存的效率。
为了实现本发明的目的,一种高性能读写链表缓存的装置,包括访问窗口控制模块、入队push的buffer缓存、出队pop的buffer缓存、链表RAM和读写冲突模块,所述访问窗口控制模块用于保证push不在pop访问链表RAM窗口内;入队push的buffer缓存和出队pop的buffer缓存用于使链表RAM的入队和出队处理不会因为上下游模块数据没有准备好而空闲;所述的读写冲突模块用于监控入队和出队冲突操作。
作为本发明的优化方案,高性能读写链表缓存的装置,从更少的逻辑和功耗选择单口RAM,来搭建链表功能,实现多路队列que的数据先进先出需求。
为了实现本发明的目的,采用一种高性能读写链表缓存的装置读写链表缓存的方法,包括如下步骤:
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