[发明专利]基于磁性多层膜结构的反常能斯特效应热电器件

权利要求书

1.一种热电器件，包括磁性多层膜结构和包围所述磁性多层膜结构的保护层，所述磁性多层膜结构包括[反铁磁层/铁磁层]_a、[反铁磁层/铁磁层/重金属层]_b、以及[反铁磁层/铁磁层/重金属层/铁磁层]_c结构中的一种或多种，a、b和c是大于或等于1的整数，

其中，所述铁磁层由铁磁导电材料形成，所述重金属层由重金属材料形成，[反铁磁层/铁磁层]_a结构中的反铁磁层由包括重金属元素的反铁磁材料形成，[反铁磁层/铁磁层/重金属层]_b和[反铁磁层/铁磁层/重金属层/铁磁层]_c结构中的反铁磁层由反铁磁材料形成，

其中，所述铁磁层具有面内磁矩，并且所述面内磁矩被所述反铁磁层偏置在第一方向上，所述磁性多层膜结构响应于其膜层法线方向上的温度梯度，在第二方向上输出电压信号，所述第二方向基本垂直于所述第一方向。

2.如权利要求1所述的热电器件，其中，所述保护层由电绝缘材料形成。

3.如权利要求2所述的热电器件，其中，所述电绝缘材料包括二氧化硅、石英或耐火黏土材料。

4.如权利要求1所述的热电器件，其中，所述反铁磁材料包括PtMn、IrMn、FeMn、PdMn、AuMn、NiO、CoO和MnO中的一种或多种，所述包括重金属元素的反铁磁材料包括PtMn、IrMn和AuMn中的一种或多种，所述重金属材料包括Ta、W、Ir、Pt和Au中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的热电器件，其中，所述铁磁层的厚度在0.5-50nm的范围内，所述反铁磁层的厚度在1-30nm的范围内，所述重金属层的厚度在0.1-15nm的范围内。

6.如权利要求1所述的热电器件，其中，a、b和c在1至1000的范围内且彼此相同或不同。

7.如权利要求1所述的热电器件，其中，所述第一方向是所述磁性多层膜结构的短轴方向，所述第二方向是所述磁性多层膜结构的长轴方向。

8.如权利要求1所述的热电器件，其中，所述第一方向是所述磁性多层膜结构的难磁化轴方向，所述第二方向是所述磁性多层膜结构的易磁化轴方向。

9.如权利要求1所述的热电器件，其中，所述热电器件用作发电器件或温度梯度检测器件。

10.如权利要求1所述的热电器件，其中，多个所述热电器件在所述第二方向上被首尾级联以提高所述电压信号的输出电压。