[发明专利]一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构

权利要求书

1.一种多腔式碳化硅外延设备，用于碳化硅的外延生长，所述设备包括：

反应室机构（2），用于对衬底进行外延生长；

传输机构（1），与所述反应室机构（2）连接，用于对反应室机构（2）进行上下料操作；

控制器，用于控制所述传输机构（1）对反应室机构（2）进行上下料操作，还用于控制所述反应室机构（2）对衬底进行外延生长；

其特征在于，所述反应室机构（2）包括：

反应室本体（21），用于对衬底进行外延生长；

快拆装置（22），设于所述反应室本体（21）的出口端（23），用于对所述反应室本体（21）与所述传输机构（1）进行固定连接；

平移机构（24），设于所述反应室本体（21）底部，用于驱动所述反应室本体（21）发生位移；

所述传输机构（1）连接有两个以上的反应室机构（2）；

所述控制器还用于控制所述快拆装置（22）的开合以改变所述反应室本体（21）与所述传输机构（1）的连接状态，以及用于在所述快拆装置（22）处于打开状态时，控制所述平移机构（24）运动以使所述反应室机构（2）靠近或远离所述传输机构（1）移动；

所述反应室本体（21）底部设有Y型导轨，平移机构（24）能沿着所述Y型导轨移动，所述Y型导轨的一分叉端上预先置有另一个反应室机构（2）。

2.根据权利要求1所述的一种多腔式碳化硅外延设备，其特征在于，所述传输机构（1）包括：

传输腔架（11）；

上下料机械手，设于所述传输腔架（11）内，用于对所述反应室机构（2）进行上下料操作；

装载腔（13），与所述传输腔架（11）连接，用于存放所述衬底；

所述传输腔架（11）上设有两个以上的取放口，所述取放口用于连接所述反应室机构（2）。

3.根据权利要求2所述的一种多腔式碳化硅外延设备，其特征在于，所述传输机构（1）还包括：

缓存腔（14），与所述传输腔架（11）连接，用于暂时存放完成外延生长的所述衬底。

4.根据权利要求2所述的一种多腔式碳化硅外延设备，其特征在于，所述传输机构（1）还包括：

插板阀（15），所述插板阀（15）设于所述取放口上。

5.根据权利要求1所述的一种多腔式碳化硅外延设备，其特征在于，所述快拆装置（22）为气缸手指，所述传输机构（1）上设有能与所述反应室本体（21）出口端（23）配合的连接法兰（16），所述控制器用于控制所述气缸手指闭合扣紧所述连接法兰（16）而将所述反应室本体（21）固定在所述传输机构（1）上。

6.根据权利要求1所述的一种多腔式碳化硅外延设备，其特征在于，所述反应室本体（21）上还设有对位结构（25），所述传输机构（1）设有与所述对位结构（25）配合的对位孔（12）而限定所述反应室本体（21）与所述传输机构（1）的连接位置。

7.根据权利要求1所述的一种多腔式碳化硅外延设备，其特征在于，所述反应室机构（2）为两个，且两个所述反应室机构（2）呈垂直布置。