[发明专利]一种OLED的封装结构

说明书

本发明公开了一种OLED的封装结构，包括玻璃基板、设于所述玻璃基板上的且包含OLED的各个结构层的OLED器件、设于所述玻璃基板与OLED器件上且覆盖所述OLED器件的封装胶以及设于所述封装胶上且围绕所述封装胶周边分部的玻璃盖板，在IC金属线区域蚀刻出一个沟槽，该沟槽应位于封装胶下方，在金属线的蚀刻制程中，金属线蚀刻于该沟槽内，在金属线上制备一层隔热膜，可使用PVD技术制备该膜层，通过在基板上预设一凹槽，使得IC区域的金属线形成梯形走线，可以避开镭射光斑的高温聚焦点或面，同时在沟槽内增设隔热膜，进一步降低辐射至金属线上的镭射温度，从而可以使用更高的镭射功率进行玻璃胶的熔接，可以有效提高熔接比例。

技术领域

本发明属于OLED封装技术领域，具体涉及一种OLED的封装结构。

背景技术

近年来，由于有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix Organic LightEmitting Diode，简称为AMOLED)显示器具有自发光、广视角、响应时间短、发光效率高、色域广、工作电压低等优势，而备受国际显示行业追捧。但是因为OLED器件的电极和发光层的有机材料对水汽、以及氧气都非常敏感，容易发生化学反应，从而严重影响OLED器件的寿命。因此需要一个高效的封装结构以阻止水氧的入侵，提高OLED显示器的寿命。

目前有Frit、薄膜封装(TFE)、Dam and Filler等封装工艺。AMOLED较为常用的是Frit封装，其制程是在盖板玻璃上印刷一层Frit胶，通过烘烤形成干胶，再与TFT背板压合，后使用激光熔接技术烧结Frit胶，使得盖板与背板贴合，形成严密的封装效果。

在现有的OLED产品结构中，为了实现OLED器件与IC驱动的连接，TFT上的金属线有部分会直接与封装胶接触；使用镭射烧结的工艺，为了保证较高的熔接比例（熔接比例=激光可熔化胶宽/胶宽），激光能量往往很高，极为容易损伤或熔断金属线，导致器件不良从而影响OLED的生产良率及寿命。

发明内容

本发明的目的在于提供一种OLED的封装结构，使封装胶下方的金属线远离镭射光斑同时使得隔热膜的膜层厚度增大，更有效地降低辐射至金属线上的能量，以解决上述背景技术中提出的金属线熔断或损伤的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种OLED的封装结构，包括玻璃基板、设于所述玻璃基板上的且包含OLED的各个结构层的OLED器件、设于所述玻璃基板与OLED器件上且覆盖所述OLED器件的封装胶以及设于所述封装胶上且围绕所述封装胶周边分部的玻璃盖板，所述玻璃基板上且位于与IC驱动连接的位置且位于IC金属线的区域通过光刻蚀在玻璃基板上蚀刻有沟槽，所述IC金属线通过金属线蚀刻工艺将IC金属线蚀刻于该沟槽内，且IC金属线沿着沟槽铺设，所述IC金属线上且位于蚀刻的沟槽内在IC金属线上铺设有隔热膜。

作为本发明的一种优选技术方案：所述OLED器件顶部封装有嵌入玻璃盖板内侧的紫外线硬体树脂阻挡膜，所述玻璃盖板为框式玻璃板。

作为本发明的一种优选技术方案：所述IC金属线为导电金属线，且导向金属线由ITO材料制成，IC金属线的厚度为300-400nm。

作为本发明的一种优选技术方案：所述沟槽的形状为梯形、方形、半圆或其他几何形状，所述沟槽位于封装胶的下方，封装胶为玻璃胶，且所述沟槽的宽度大于封装胶的胶宽，封装胶通过网印技术在玻璃盖板上形成预设的形状，材质一般是玻璃胶。

作为本发明的一种优选技术方案：所述玻璃盖板以及玻璃基板均由SiO₂材料制成，且玻璃盖板的厚度为0.3-0.4mm，玻璃基板的厚度为0.3-0.4mm。

作为本发明的一种优选技术方案：所述隔热膜的上表面与玻璃基板1的上表面相平齐，隔热膜的材质为阻水氧能力强、耐高温且绝缘的膜层，该隔热膜采用SixO，一方面起到隔热作用，另一方面起到与Frit熔接的作用。