[发明专利]一种晶钻大理石瓷质砖及其制备方法有效
| 申请号： | 202111188583.1 | 申请日： | 2021-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN113999054B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 张松竹;李万平;尹伟;袁广平;陈琴云 | 申请（专利权）人： | 广东清远蒙娜丽莎建陶有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/89 | 分类号： | C04B41/89;C03C8/02;C03C8/04 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;牛彦存 |
| 地址： | 511533 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大理石 瓷质砖 及其 制备 方法 | ||
1.一种晶钻大理石瓷质砖的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
在坯体表面施高温哑光面釉；
在施高温哑光面釉后的坯体表面喷墨打印设计图案；
在喷墨打印设计图案后的坯体表面喷固定剂并定位布晶钻干粒；所述晶钻干粒的原料组成包括：以质量百分比计，氧化锆 65～75%、石英 10～20%、氧化铪 0.5～6%、烧滑石 10～15%；所述晶钻干粒的施加量为 100～300 g/m2；
在布晶钻干粒后的坯体表面施高透明抛釉；所述高透明抛釉的化学成分包括：以质量百分比计，烧失：5.1～8.7%、SiO2：50.3～60.5%、Al2O3：10.4～16.3%、CaO：5.5～10.3%、MgO：2.8～6.2%、K2O：1.1～3.4%、Na2O：2.3～5.1%、ZnO：3.7～7.6%、SrO：1.8～4.5%、B2O3：3.2～6.6%；所述高透明抛釉的比重为1.82～1.86 g/cm3，施加量为550～750g/m2；
将施高透明抛釉后的坯体烧成并抛光，得到所述晶钻大理石瓷质砖。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述晶钻干粒的化学成分包括：以质量百分比计，烧失：1.1～3.6%、SiO2：15.2～25.6%、ZrO2：65.3～75.6%、HfO2：0.5～5.5%、MgO：3.8～8.2%。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述晶钻干粒的粒径为180～380微米。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高透明抛釉的施加方式为淋釉。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高温哑光面釉的化学成分包括：以质量百分比计，SiO2：54.6～62.8%、Al2O3：18.3～24.5%、碱土金属氧化物：2.4～7.9%、碱金属氧化物：3.4～9.2%、ZrO2： 4.8～10.7%。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高温哑光面釉的施加方式为喷釉，比重为1.42～1.46g/cm3，施加量为600～800 g/m2。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高透明抛釉的始融温度为1020～1060℃。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的制备方法获得的晶钻大理石瓷质砖。
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