[发明专利]引导膜和制造显示设备的方法在审
申请号: | 202111191180.2 | 申请日: | 2021-10-13 |
公开(公告)号: | CN114373789A | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 辛昊植;朱惠珍;辛在敏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;B32B1/00;B32B33/00;B32B37/12;B32B38/18 |
代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 李子光 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 引导 制造 显示 设备 方法 | ||
1.一种引导膜,包括:
主区域,所述主区域包括:
中心区域,所述中心区域在平面图中具有矩形形状;
第一侧区域;
第二侧区域;以及
第一拐角区域,所述第一拐角区域将所述第一侧区域连接到所述第二侧区域;
第一辅助区域,所述第一辅助区域连接到所述主区域的第一边缘;以及
第二辅助区域,所述第二辅助区域连接到所述主区域的第二边缘,所述第二边缘与所述主区域的所述第一边缘相交并且所述第二辅助区域与所述第一辅助区域分开,
其中:
所述第一侧区域布置在所述中心区域与所述第一辅助区域之间,以及
所述第二侧区域布置在所述中心区域与所述第二辅助区域之间。
2.根据权利要求1所述的引导膜,还包括:
第三辅助区域,所述第三辅助区域连接到所述主区域的第三边缘并且与所述第二辅助区域分开,所述第三边缘平行于所述主区域的所述第一边缘,
其中,所述主区域还包括:
第三侧区域,所述第三侧区域在所述中心区域与所述第三辅助区域之间;以及
第二拐角区域,所述第二拐角区域将所述第二侧区域连接到所述第三侧区域。
3.根据权利要求2所述的引导膜,还包括:
第四辅助区域,所述第四辅助区域连接到所述主区域的第四边缘并且与所述第三辅助区域分开,所述第四边缘平行于所述主区域的所述第二边缘,
其中,所述主区域还包括:
第四侧区域,所述第四侧区域在所述中心区域与所述第四辅助区域之间;以及
第三拐角区域,所述第三拐角区域将所述第三侧区域连接到所述第四侧区域。
4.根据权利要求3所述的引导膜,其中,所述主区域、所述第一辅助区域、所述第二辅助区域、所述第三辅助区域和所述第四辅助区域被设置为一个区域。
5.根据权利要求1所述的引导膜,其中,所述第一拐角区域的模量为1兆帕至50兆帕。
6.根据权利要求5所述的引导膜,其中,所述第一拐角区域包括硅橡胶。
7.根据权利要求1所述的引导膜,其中,所述第一拐角区域的边缘是凸的。
8.根据权利要求1所述的引导膜,其中,所述第一拐角区域具有切割部。
9.根据权利要求8所述的引导膜,其中,所述切割部具有闭合曲线形状。
10.根据权利要求1所述的引导膜,其中,所述主区域具有多层结构,并且所述第一辅助区域和所述第二辅助区域各自具有与所述主区域的层结构相同的层结构。
11.根据权利要求10所述的引导膜,其中,所述主区域包括第一层、第二层和排列在所述第一层与所述第二层之间的第三层。
12.根据权利要求11所述的引导膜,其中,所述第一层和所述第二层的模量小于所述第三层的模量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的