[发明专利]水质在线监测装置、截流系统及水质在线监测方法在审

专利信息
申请号: 202111191295.1 申请日: 2021-10-13
公开(公告)号: CN113802681A 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 高世雄;梁丹;赵利;董月群;孟婷婷;薛晓飞;关春雨;王志强;任璐;曹天宇;蒋红与;张佩瑶;覃贵赟;任义 申请(专利权)人: 北控水务(中国)投资有限公司
主分类号: E03F5/04 分类号: E03F5/04;E03F3/02;B01D29/00;B01D29/68;B01D29/60
代理公司: 北京智慧亮点知识产权代理事务所(普通合伙) 11950 代理人: 史明罡
地址: 100102 北京市朝阳区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 水质 在线 监测 装置 截流 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种水质在线监测装置,其特征在于,包括:

壳体(101),所述壳体(101)设置有第一腔室(104);

第一输送装置(102),所述第一输送装置(102)被配置为向所述第一腔室(104)输送水,所述第一腔室(104)被配置为容纳所述第一输送装置(102)的输送的水;

过滤装置(103),所述过滤装置(103)被配置为对输送至第一腔室(104)中的水进行过滤;以及

水质检测装置(113),所述水质检测装置(113)被配置为对经所述过滤装置(103)过滤后的水进行水质检测。

2.根据权利要求1所述的水质在线监测装置,其特征在于,所述壳体(101)还设置有第二腔室(105),所述第二腔室(105)被配置为容纳经所述过滤装置(103)过滤后的水。

3.根据权利要求2所述的水质在线监测装置,其特征在于,还包括第二输送装置(107),

所述第二输送装置(107)被配置为将经过所述过滤装置(103)过滤后的水输送到所述第二腔室(105),或所述第二输送装置(107)被配置为将所述第一腔室(104)中的水输送至所述过滤装置(103)。

4.根据权利要求2所述的水质在线监测装置,其特征在于,所述水质检测装置(113)设置于所述第二腔室(105)内;

所述第二腔室(105)设置有排水管(108),所述排水管(108)被配置为使所述第二腔室(105)中的水流到所述壳体(101)外部;

所述排水管(108)上设置有第一阀门(109)。

5.根据权利要求2所述的水质在线监测装置,其特征在于,所述第一腔室(104)设置有出水管(110),所述出水管(110)被配置为使所述第一腔室(104)中的水流到所述壳体(101)外部;

所述出水管(110)上设置有逆止阀(111)。

6.根据权利要求2-5中任一项所述的水质在线监测装置,其特征在于,所述第一腔室(104)设置有进水管(112),所述第一输送装置(102)被配置为使水通过进水管(112)输送至所述第一腔室(104)。

7.根据权利要求2-5中任一项所述的水质在线监测装置,其特征在于,所述过滤装置(103)设置于所述第一腔室(104)中,所述第一腔室(104)位于所述第二腔室(105)的上方;所述过滤装置(103)包括多个平板膜或所述过滤装置(103)包括多个管式膜;所述平板膜为陶瓷平板膜;所述管式膜为陶瓷管式膜;

所述的水质在线监测装置还包括气洗装置,所述气洗装置包括气泵(114)和第二阀门(115);所述气泵(114)的一端与所述过滤装置(103)的集水管(116)相连通,且所述第二阀门(115)设置于所述气泵(114)的一端与所述集水管(116)之间相连通的管路上,所述气泵(114)相对的另一端与所述壳体(101)的外界相连通。

8.一种截流系统,其特征在于,包括截流井以及如权利要求1-7中任一项所述的水质在线监测装置,所述水质在线监测装置被配置为监测所述截流井的合流管线中的污水的水质。

9.一种水质在线监测方法,其特征在于,所述水质在线监测方法采用如权利要求1-7中任一项所述的水质在线监测装置;

所述水质在线监测方法包括:

对污水进行物理过滤,对经物理过滤后的水进行水质检测,当检测到水质参数中的至少一个参数满足条件时,使截流井将合流污水截入污水管,其中,所述水质参数包括COD、氨氮含量、总氮含量、电导率和氧化还原电位,各所述参数满足的条件为:

COD≥100mg/L,氨氮含量≥10mg/L,总氮含量≥10mg/L,

电导率≥1500uS/cm,氧化还原电位≤-400mV。

10.根据权利要求9所述的水质在线监测方法,其特征在于,还包括:

对污水进行物理过滤,对经物理过滤后的水进行水质检测,当检测到水质参数中的至少一个参数满足条件时,使截流井将清洁雨水截入雨水管或排入环境水体,其中,各所述参数满足的条件为:

COD100mg/L,氨氮含量10mg/L,总氮含量10mg/L,

电导率1500uS/cm,氧化还原电位-400mV。

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