[发明专利]图像传感器像素及其制造方法

权利要求书

1.一种为图像传感器像素的电荷存储器件提供光屏蔽的方法，所述方法包括：

提供感光性器件和所述电荷存储器件以及覆盖所述感光性器件和所述电荷存储器件的介电层；

执行所述介电层的刻蚀以界定所述介电层下方的底切体块和穿过所述介电层到达所述底切体块的接入开口；以及

执行挡光材料的物理气相沉积(PVD)以进行以下两个操作：

用所述挡光材料填充所述底切体块以形成覆盖所述电荷存储器件的挡光层，以及

用所述挡光材料填充所述接入开口以形成挡光插塞。

2.根据权利要求1所述的为图像传感器像素的电荷存储器件提供光屏蔽的方法，其中所述物理气相沉积由单一沉积操作组成。

3.根据权利要求1所述的为图像传感器像素的电荷存储器件提供光屏蔽的方法，其中：

所述介电层包含：第一材料的第一介电层，设置在所述感光性器件和所述电荷存储器件上方；以及第二材料的第二介电层，设置在所述第一介电层上方，所述第二材料与第一介电材料不同，且

所述刻蚀包含执行选择性地刻蚀所述第二材料下方的所述第一材料以界定所述底切体块的选择性刻蚀。

4.根据权利要求3所述的为图像传感器像素的电荷存储器件提供光屏蔽的方法，其中所述刻蚀进一步包括：在执行所述选择性刻蚀之前，执行刻蚀穿过所述第一介电层和所述第二介电层以暴露所述电荷存储器件的非选择性刻蚀，所述非选择性刻蚀界定穿过所述介电层到达所述底切体块的所述接入开口。

5.一种图像传感器像素，包括：

感光性器件；

电荷存储器件；

挡光层，设置在所述电荷存储器件上方；

挡光插塞，设置在所述电荷存储器件上方；以及

介电层，设置在所述挡光层上方；

其中所述挡光插塞穿过所述介电层且接触所述挡光层。

6.根据权利要求5所述的图像传感器像素，其中所述挡光层和所述挡光插塞通过包含金属材料的物理气相沉积(PVD)的工艺形成，所述工艺包含以下两个操作：

通过经由穿过所述介电层的接入开口用所述金属材料填充所述介电层下方的底切体块来形成所述挡光层，以及

通过用所述金属材料填充所述接入开口来形成所述挡光插塞。

7.根据权利要求5所述的图像传感器像素，进一步包括：

快门栅极晶体管，经连接以重置所述感光性器件；

电荷转移路径，包含转移栅极晶体管，来自所述感光性器件的电荷通过所述转移栅极晶体管转移到电荷存储器件；以及

读出电路，配置成读出存储在所述电荷存储器件中的电荷。

8.一种图像传感器，包括如权利要求7中所阐述的图像传感器像素的阵列。

9.一种图像传感器装置，包括：

电荷存储器件；

挡光层，设置在所述电荷存储器件上方；

介电层，设置在所述挡光层上方；以及

挡光插塞，设置在所述电荷存储器件上方，且穿过所述介电层以提供对所述电荷存储器件的电接入；

其中所述挡光层和所述挡光插塞包括连续结构。

10.根据权利要求9所述的图像传感器装置，其中所述挡光层与所述挡光插塞之间不存在间隙。