[发明专利]半导体热电器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111192027.1 申请日: 2021-10-13
公开(公告)号: CN113937208A 公开(公告)日: 2022-01-14
发明(设计)人: 屈春风;曾广锋 申请(专利权)人: 东莞先导先进科技有限公司
主分类号: H01L35/10 分类号: H01L35/10;H01L35/32;H01L35/34
代理公司: 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 代理人: 张向琨
地址: 523808 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 半导体 热电器件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体热电器件(100),其特征在于,

包括基板(1)、多个热电粒子(2)以及线路层(3),

基板(1)为耐热绝缘刚性隔热材料,基板(1)开设有沿厚度方向(D)贯通的多个通孔(11);

各热电粒子(2)位于对应一个通孔(11)中,各热电粒子(2)直接在各通孔(11)中由热电粒子(2)的材料的粉末熔融凝固形成,各热电粒子(2)在对应通孔(11)的两端分别处于基板(1)的沿厚度方向(D)的相反的两个表面(12)处;

两个线路层(3)直接形成在基板(1)的沿厚度方向(D)的相反的两个表面(12)并将多个热电粒子(2)电连接,各热电粒子(2)被两线路层(3)完全封闭在对应的通孔(11)中。

2.根据权利要求1所述的半导体热电器件(100),其特征在于,耐热绝缘刚性隔热材料为玻纤棉、玻璃棉或石棉。

3.根据权利要求1所述的半导体热电器件(100),其特征在于,行列布置的行之间和列之间的间距在0.1mm以下。

4.根据权利要求1所述的半导体热电器件(100),其特征在于,各线路层(3)通过镀覆、图形转移、显影、蚀刻、再镀上镀层形成。

5.根据权利要求1所述的半导体热电器件(100),其特征在于,

各热电粒子(2)的两端面分别与基板(1)的沿厚度方向(D)的相反的两个表面(12)齐平,或者

各热电粒子(2)的两端面处于通孔(11)的两端内。

6.一种半导体热电器件(100)的制备方法,其特征在于,用于制备根据权利要求1-5中任一项所述的半导体热电器件(100),包括步骤:

步骤一,提供开设有沿厚度方向(D)贯通的多个通孔(11)的基板(1),

步骤二,在各通孔(11)中填充并压实热电粒子(2)的材料的粉末;

步骤三,熔融各通孔(11)中的热电粒子(2)的材料之后凝固以在各通孔(11)中形成热电粒子(2),各热电粒子(2)在对应通孔(11)的两端分别向基板(1)的沿厚度方向(D)的相反的两个表面(12)暴露;

步骤四,在基板(1)的沿厚度方向(D)的相反的两个表面(12)各直接形成一个线路层(3)。

7.根据权利要求6所述的半导体热电器件(100)的制备方法,其特征在于,

步骤四为:在基板(1)的沿厚度方向(D)的一个表面(12)镀覆面铜,之后进行线路图形转移,然后显影、蚀刻,完成该表面(12)的线路制作,此后再对基板(1)的沿厚度方向(D)的另一个表面(12)进行同样的处理。

8.根据权利要求6所述的半导体热电器件(100)的制备方法,其特征在于,

在步骤三和步骤四之间还包括步骤:在步骤三之后且在步骤四之前,将多个通孔(11)分组并从基板(1)的厚度方向(D)的一个表面(12)切割至基板(1)的厚度方向(D)的另一表面(12),以分成多个单元(U),

之后各单元(U)执行步骤四。

9.根据权利要求6所述的半导体热电器件(100)的制备方法,其特征在于,

在步骤三和步骤四之间还包括步骤:在步骤三之后且在步骤四之前,将基板(1)沿与基板(1)厚度垂直的面进行切割,以将基板(1)和多个形成的热电粒子(2)切割,以形成多个薄片体单元(W);

之后各薄片体单元(W)执行步骤四。

10.根据权利要求6所述的半导体热电器件(100)的制备方法,其特征在于,

在步骤三和步骤四之间还包括步骤:在步骤三之后且在步骤四之前,将基板(1)的厚度方向(D)的两表面(12)切割,以使各热电粒子(2)的两端面分别从通孔(11)的两端露出。

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