[发明专利]一种高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂的制备方法，其特征在于，以Bi₂O₃、TiO₂、Nb₂O₅为原料，以NaCl、KCl为熔盐混合后进行球磨，将球磨后所得的粉体干燥后通过熔盐反应，得到的产物经洗涤干燥后得到高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂Bi₃TiNbO₉。

2.根据权利要求1所述的一种高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂的制备方法，其特征在于，所述熔盐反应的温度为750～850℃，时间为1～4h。

3.根据权利要求2所述的一种高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂的制备方法，其特征在于，熔盐反应升温过程中控制升温速度为5℃/min，降温过程中，以5℃/min的速度降温至500℃后随炉降温到室温。

4.根据权利要求1所述的一种高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂的制备方法，其特征在于，所述Bi₂O₃、TiO₂以及Nb₂O₅之间的摩尔比为3：2：1。

5.根据权利要求1所述的一种高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂的制备方法，其特征在于，所述NaCl、KCl以及Bi₃TiNbO₉之间摩尔比为50：50：1。

6.根据权利要求1所述的一种高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂的制备方法，其特征在于，所述球磨具体为：将Bi₂O₃、TiO₂、Nb₂O₅、NaCl及KCl放入球磨罐，之后往球磨罐中加入球石和无水乙醇，球磨4h。

7.根据权利要求1所述的一种高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂的制备方法，其特征在于，所述洗涤具体为：使用去离子水在500rpm的磁力搅拌条件下洗涤若干次。

8.根据权利要求7所述的一种高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂的制备方法，其特征在于，产物经洗涤后干燥温度为60℃，时间为12h。

9.一种高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂，其特征在于，采用权利要求1-8任一项所述的制备方法制得。

10.权利要求9所述的高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂在降解有机染料罗丹明B上的应用，其特征在于，在超声波驱动下，将高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂加入有机染料罗丹明B中，使高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂的浓度为1mg/1ml，超声波的频率为40kHz。