[发明专利]基于体积分布系数的绝缘子上下表面不均匀积污分析方法在审
| 申请号： | 202111195114.2 | 申请日： | 2021-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN113947040A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 张志劲;王继来;蒋兴良;王强;乔新涵;李景坤;胡建林;林志海;胡琴 | 申请（专利权）人： | 中铁第一勘察设计院集团有限公司;重庆大学 |
| 主分类号： | G06F30/28 | 分类号： | G06F30/28;G06F113/08;G06F119/14 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 胡博文 |
| 地址： | 710043*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 体积 分布 系数 绝缘子 上下 表面 不均匀 分析 方法 | ||
1.一种基于体积分布系数的绝缘子上下表面不均匀积污分析方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1.采集目标输电线路的绝缘子的积污参数并对积污参数进行预处理，积污参数包括污秽颗粒浓度、颗粒粒径以及风速；
S2.将预处理后的积污参数输入到流体力学计算软件中，确定出目标输电线路的绝缘子的上表面污秽颗粒分布体积分数vus和下表面污秽颗粒分布体积分数vls；
S3.根据绝缘子的上表面污秽颗粒分布体积分数vus和下表面污秽颗粒分布体积分数vls确定出目标绝缘子的上表面和下表面在第i个时刻的不均匀度ki；
S4.根据第i个时刻的不均匀度ki确定出目标绝缘子在设定积污期的污秽不均度k。
2.根据权利要求1所述基于体积分布系数的绝缘子上下表面不均匀积污分析方法，其特征在于：步骤S3中，根据如下方法确定第i个时刻的不均匀度ki：
其中，vusi为第i个时刻的绝缘子上表面污秽颗粒分布体积分数；vlsi为第i个时刻的绝缘子下表面污秽颗粒分布体积分数。
3.根据权利要求2所述基于体积分布系数的绝缘子上下表面不均匀积污分析方法，其特征在于：步骤S4中，通过如下方法确定目标绝缘子在设定积污期的污秽不均度k：
其中，s1为目标绝缘子上表面积，s2为目标绝缘子下表面积，n为设定积污期划分的n个时刻。
4.根据权利要求1所述基于体积分布系数的绝缘子上下表面不均匀积污分析方法，其特征在于：步骤S1中，通过如下方法对积污参数进行预处理：
找出同一类别积污参数的最大值和最小值，并求出该类别积污参数极差；
将极差输入到Excel的ROUNDUP函数中得出同一类别积污参数的分组情况；
采用最大似然估计算法计算不同分组数据的概率分布值，并得出该类别的积污参数单位时间内50％概率分布值。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中铁第一勘察设计院集团有限公司;重庆大学，未经中铁第一勘察设计院集团有限公司;重庆大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111195114.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
