[发明专利]一种CGO/ESB双电解质层的固体氧化物电解池在审
申请号: | 202111195582.X | 申请日: | 2021-10-14 |
公开(公告)号: | CN113782799A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 张梦茹;王恩华;刘亚迪;胡浩然 | 申请(专利权)人: | 北京思伟特新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01M8/1246 | 分类号: | H01M8/1246;H01M8/126;H01M8/1226 |
代理公司: | 北京共腾律师事务所 16031 | 代理人: | 姚星 |
地址: | 100071 北京市海淀区西小口路*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cgo esb 电解质 固体 氧化物 电解池 | ||
1.一种CGO/ESB电解质基MS-SOEC,包括依次堆叠的金属支撑层、阴极层、电解质功能层和阳极层,其特征在于:所述电解质功能层包括CGO电解质层和ESB电解质层,所述CGO电解质层设置在所述阴极层和所述ESB电解质层之间,所述ESB电解质层设置在所述CGO电解质层和所述阳极层之间;
所述金属支撑层为钢基板,钢基板的厚度为200-300um。
2.根据权利要求1所述的CGO/ESB电解质基MS-SOEC,其特征在于:所述钢基板为多孔箔;所述多孔箔在其中心区域形成一组直径10-30um的小孔,在其外围区域未形成孔,所述外围区域用于通过焊接或压缩垫片密封的方式形成堆叠。
3.根据权利要求1所述的CGO/ESB电解质基MS-SOEC,其特征在于:所述阴极层沉积在所述金属支撑层的上表面上,所述阴极层为多孔镍-CGO复合陶瓷;所述CGO电解质层沉积在所述阴极层上,与阴极层重叠,以密封阴极层的边缘。
4.根据权利要求1所述的CGO/ESB电解质基MS-SOEC,其特征在于:所述CGO电解质层的厚度为10μm,所述多孔镍-CGO复合陶瓷的厚度为15um。
5.根据权利要求1所述的CGO/ESB电解质基MS-SOEC,其特征在于:所述ESB电解质层沉积在CGO电解质层上,ESB电解质层的厚度为5μm以上。
6.根据权利要求1所述的CGO/ESB电解质基MS-SOEC,其特征在于:所述电解质功能层的总厚度为15um以上。
7.根据权利要求1所述的CGO/ESB电解质基MS-SOEC,其特征在于:所述阳极层沉积在所述ESB电解质的顶部,其厚度为25um。
8.权利要求1-7任一项所述的CGO/ESB电解质基MS-SOEC的制备方法,其特征在于:具体包括如下制备步骤:
1)压片法制备阴极和CGO电解质层
先通过单层干压法制备NiO-CGO阴极,再通过双层共压法制备NiO-CGO/CGO半电池生坯,将其置于高温炉中在1000~1100℃共烧结3~5h,获得CGO电解质薄膜致密的半电池陶瓷结构;
2)浆料涂覆法制备ESB电解质薄膜
将松油醇和乙基纤维素按照95:5~98:2的化学计量比称取制备混合溶剂;将ESB电解质粉体按照质量比0.8~1.2:1放入上述混合溶剂中,球磨1~3 h,静置10~14h待其混合均匀充分溶解后,得到用于制备ESB浆料悬浮液;取颗粒较为均匀的ESB粉体,加入配置好的悬浮液中,球磨20~28 h,得到ESB电解质粉体浆料;将制备好的ESB电解质粉体浆料使用移液枪均匀涂覆在所述CGO电解质薄膜致密的半电池陶瓷结构的表面上,置于空气中自然固化,待其固化后,重复进行浆料涂覆操作,以获得期望厚度的ESB电解质薄膜,ESB电解质薄膜的厚度通过改变浆料涂覆过程中ESB浆料的体积来控制;随后,将固化的ESB电解质薄膜生坯放置于空气中自然干燥1~2 h;然后,将干燥后的ESB电解质薄膜生坯置于马弗炉中空气状态下在800~900℃低温共烧9~13h得到双层电解质半电池NiO-CGO/CGO/ESB陶瓷烧结体;
3)丝网印刷法制备阳极层
按质量比为0.8~1.2:1称取LSM粉体和ESB粉体,混合粉体中加入无水乙醇充分球磨并烘干,然后与松油醇按照一定比例均匀混合制得阳极浆料;用丝网印刷在所述双层电解质半电池NiO-CGO/CGO/ESB陶瓷烧结体的ESB电解质层一侧制备阳极,干燥后在950~1050℃下煅烧1~3h;得到阴极层-电解质功能层-阳极层的层叠体;
4)复合得到单体CGO/ESB电解质基MS-SOEC
将上述制备的阴极层-电解质功能层-阳极层的层叠体与作为金属支撑层1的钢基板复合得到CGO/ESB电解质基MS-SOEC,即可制得单体CGO/ESB电解质基MS-SOEC。
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