[发明专利]集成电路中的集成电容器

权利要求书

1.一种绝缘体上硅SOI集成电路IC，其特征在于，包括：

具有第一和第二主表面的半导体衬底；

在所述第一表面上的掩埋氧化物BOX层；

在所述BOX层上方的多个半导体层，所述多个半导体层包括多个区且至少包括n型掩埋层(NBL)和n阱(DPN)；

在所述多个半导体层上方的绝缘层(STI)；

在所述绝缘层上方的图案化多晶硅层(多晶1)；

金属化堆栈，所述金属化堆栈包括多个图案化金属层，所述多个图案化金属层之间具有绝缘材料层，所述绝缘材料层各自具有穿过其中连接所述图案化金属层的多个导电通孔；

横向隔离结构(DTI)，所述横向隔离结构包括多晶硅材料插塞，所述插塞位于穿过所述多个半导体层延伸到所述第一主表面且具有氧化物内衬的沟槽中；

其中所述集成电路包括集成电容器，所述集成电容器包括金属-绝缘体-金属MIM电容器、第二电容器、第三电容器和第四电容器的并联布置：

其中所述MIM电容器包括在所述金属化堆栈中；

所述第二电容器包括所述衬底和具有n型掺杂的所述多个半导体层中的一个作为板，且包括所述掩埋氧化物层作为电介质；

所述第三电容器包括所述多晶硅层和具有n型掺杂的所述多个半导体层中的另外的一个作为板，且包括所述绝缘层作为电介质；并且

所述第四电容器包括所述多晶硅插塞和所述多个半导体层中的至少一个作为板，且包括所述氧化物内衬作为电介质。

2.根据权利要求1所述的SOIIC，

其特征在于，所述MIM电容器包括由绝缘材料分隔开的导电指的栅极并且包括在所述金属化堆栈中，使得每个图案化金属层包括相应一对梳状结构电极，每个梳状结构电极具有大致垂直于主干的交指型指并且电耦合到相邻层中的水平偏移的梳状结构电极，并且

其中所述梳状结构电极中在上部金属层上的一个包括所述集成电容器的第一电极，并且所述梳状结构电极中在最下部金属层上的一个电连接到所述第二电容器。

3.根据权利要求1或2所述的SOIIC，其特征在于，MIM电容器具有四个金属层。

4.根据在前的任一项权利要求所述的SOIIC，其特征在于，所述梳状结构电极中在上部金属层上的所述一个是最上部层。

5.根据在前的任一项权利要求所述的SOIIC，其特征在于，所述金属化堆栈的一个或多个上部金属层的厚度大于较下部金属层中的一个的厚度。

6.根据在前的任一项权利要求所述的SOIIC，其特征在于，所述横向隔离结构(DTI)形成所述IC和所述第二电容器的区的周界，并且所述第三电容器和所述第四电容器各自包括在所述周界内。

7.根据在前的任一项权利要求所述的SOIIC，其特征在于，另外包括在所述集成电容器的周界外部的晶体管。

8.根据在前的任一项权利要求所述的SOIIC，其特征在于，所述多个半导体层包括具有至少5x10^18cm^-2的N型掺杂浓度的n阱层。

9.根据在前的任一项权利要求所述的SOIIC，其特征在于，所述多个半导体层包括具有至少5x10^18cm^-2的N型掺杂浓度的掩埋n阱层。

10.根据权利要求9所述的SOIIC，当从属于权利要求8和权利要求6时，其特征在于，所述n阱层和所述掩埋n阱层填充由所述周界限定的所述IC的所述区。