[发明专利]集成电路装置

权利要求书

1.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：

基底；

第一有源区和第二有源区，在基底中分隔开；

第一接触插塞，接触第一有源区并且具有第一宽度和第一掺杂剂浓度；以及

第二接触插塞，接触第二有源区并且具有比第一宽度大的第二宽度和比第一掺杂剂浓度小的第二掺杂剂浓度。

2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，第一接触插塞仅接触第一有源区的一部分，并且第二接触插塞仅接触第二有源区的一部分。

3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，第一接触插塞和第二接触插塞中的每个包括掺杂硅。

4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，第一有源区在基底的上表面中形成至第一深度，并且第二有源区在基底的上表面中形成至与第一深度不同的第二深度。

5.根据权利要求4所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：

第一凹陷部分，在第一有源区的一侧上形成在基底的上表面中，其中，第一接触插塞至少部分地掩埋在第一凹陷部分中；以及

第二凹陷部分，在第二有源区的一侧上形成在基底的上表面中，其中，第二接触插塞至少部分地掩埋在第二凹陷部分中。

6.根据权利要求5所述的集成电路装置，其中，第一凹陷部分在基底的上表面中形成至第一凹槽深度，并且

第二凹陷部分在基底的上表面中形成至与第一凹槽深度不同的第二凹槽深度。

7.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，第一接触插塞是具有第一子掺杂剂浓度的第一半导体层的单层，并且

第二接触插塞是包括具有第一子掺杂剂浓度的第二半导体层和具有比第一子掺杂剂浓度小的第二子掺杂剂浓度的第三半导体层的多层。

8.根据权利要求1至权利要求7中的任一项所述的集成电路装置，其中，第一接触插塞包括第一整体材料层，并且第二接触插塞包括与第一整体材料层不同的第二整体材料层。

9.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：

第一有源区、第二有源区和第三有源区，在基底中分隔开；

第一接触插塞，具有第一宽度和第一掺杂剂浓度，并且接触第一有源区的至少一部分；

第二接触插塞，具有第二宽度和比第一掺杂剂浓度小的第二掺杂剂浓度，并且接触第二有源区的至少一部分；以及

第三接触插塞，具有第三宽度，具有比第一掺杂剂浓度小且比第二掺杂剂浓度小的第三掺杂剂浓度，并且接触第三有源区的至少一部分。

10.根据权利要求9所述的集成电路装置，其中，第一有源区、第二有源区和第三有源区在基底中被构造为基底层级的一部分，并且

第一接触插塞、第二接触插塞和第三接触插塞被构造为设置在基底层级上的接触件层级的一部分。

11.根据权利要求10所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：

附加半导体层层级，设置在接触件层级上。

12.根据权利要求9所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：

第一凹陷部分，在第一有源区的一侧上形成在基底的上表面中，其中，第一接触插塞至少部分地掩埋在第一凹陷部分中；

第二凹陷部分，在第二有源区的一侧上形成在基底的上表面中，其中，第二接触插塞至少部分地掩埋在第二凹陷部分中；以及

第三凹陷部分，在第三有源区的一侧上形成在基底的上表面中，其中，第三接触插塞至少部分地掩埋在第二凹陷部分中，

其中，第一有源区在基底的上表面中形成至第一深度，第二有源区在基底的上表面中形成至第二深度，并且第三有源区在基底的上表面中形成至第三深度。