[发明专利]具有至沟槽接触部的自对准过孔的掩埋电源轨

权利要求书

1.一种集成电路(IC)结构，包括：

支撑结构，具有第一面和相对的第二面；

沟道材料的伸长的沟道结构，所述伸长的沟道结构设置在所述支撑结构的所述第二面之上并且具有大体上平行于所述支撑结构的长轴；

晶体管布置结构，具有：

包括所述沟道材料的一部分的沟道部分，以及

至少部分地环绕所述沟道部分的栅极堆叠体；以及

导电材料的电源轨，所述电源轨在所述支撑结构的所述第一面和所述第二面之间延伸并且具有大体上平行于所述伸长的沟道结构的所述长轴的长轴，

其中，在所述IC结构的沿大体上垂直于所述电源轨的所述长轴和所述支撑结构中的每一个的平面截取并包括所述栅极堆叠体的截面中，所述电源轨的顶部相比所述栅极堆叠体的顶部，更靠近了所述支撑结构的所述第一面以下距离：所述截面中的所述栅极堆叠体在大体上垂直于所述支撑结构的方向上测量的尺寸的至少一半。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中：

所述晶体管布置结构还包括处于所述沟道部分的任一侧上的所述沟道材料中的第一源极或漏极(S/D)区和第二S/D区，并且

所述电源轨耦合到所述第一S/D区。

3.根据权利要求2所述的IC结构，还包括：

耦合到所述第一S/D区的沟槽接触部，以及

耦合在所述电源轨和所述沟槽接触部之间的导电过孔。

4.根据权利要求3所述的IC结构，其中，所述导电过孔的侧壁在大体上垂直于所述电源轨的所述长轴的平面中与所述沟槽接触部的对应的侧壁对准。

5.根据权利要求3所述的IC结构，所述导电过孔的侧壁在大体上平行于所述电源轨的所述长轴的平面中与所述电源轨的对应的侧壁对准。

6.根据权利要求3-5中任一项所述的IC结构，其中，所述过孔的导电材料的材料成分与所述电源轨的导电材料的材料成分大体上相同，并且在所述过孔的导电材料和所述电源轨的导电材料之间没有阻挡材料或衬层材料。

7.根据权利要求6所述的集成电路结构，其中，所述过孔的导电材料的材料成分与所述沟槽接触部的材料成分不同。

8.根据权利要求3-5中任一项所述的IC结构，其中，从所述导电过孔到所述第一S/D区的距离小于从所述导电过孔到所述栅极堆叠体的距离。

9.根据权利要求3-5中任一项所述的IC结构，其中，从所述导电过孔到所述伸长的沟道结构的距离在大约2和100纳米之间。

10.根据权利要求1-5中任一项所述的IC结构，其中，在所述截面中，所述电源轨的顶部比所述栅极堆叠体的底部靠近所述支撑结构的所述第一面。

11.根据权利要求1-5中任一项所述的IC结构，还包括在所述支撑结构的所述第一面处耦合到所述电源轨的至少一部分的背面互连。

12.根据权利要求1-5中任一项所述的IC结构，其中，所述伸长的沟道结构是远离所述支撑结构延伸的鳍状物。

13.根据权利要求12所述的IC结构，其中：

所述IC结构还包括在所述支撑结构的第二面之上并围绕所述鳍状物的第一部分的一种或多种电介质材料，

所述沟道部分是所述鳍状物的第二部分，其中，所述第一部分比所述第二部分靠近所述支撑结构；并且

在所述截面中，所述电源轨的顶部在所述鳍状物的所述第一部分的顶部下方。

14.根据权利要求1-5中任一项所述的IC结构，其中，所述伸长的沟道结构是大体上平行于所述支撑结构的纳米带。