[发明专利]用于硬掩模及其他图案化应用的高密度低温碳膜

权利要求书

1.一种处理基板的方法，包含以下步骤：

使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，所述处理腔室具有定位于静电吸盘上的基板，其中所述处理容积维持在介于0.5毫托与10毫托之间的压力下并且所述含烃气体混合物包括含烃前驱物和蚀刻剂气体；

通过将第一RF偏压施加于所述静电吸盘，在所述处理容积内产生等离子体，以从所述含烃混合物在所述基板上沉积碳膜，所述碳膜包含至少50％的sp³杂化碳原子，其中所述基板维持在自约-50摄氏度至约350摄氏度的温度下。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻剂气体包含Cl₂、CF₄或NF₃中的一者或多者。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述烃化合物是烷烃。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述烃化合物包括甲烷、乙烷、丙烯、丙烷、丁烷、异丁烷、戊烷、己烷、异戊烷、新戊烷、己烷、2-甲基戌烷、3-甲基戌烷、2,3-二甲基丁烷以及2,2-二甲基丁烷中的一者或组合。

5.如权利要求1所述的方法，其中存在至少75％的sp³杂化碳原子。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述基板的温度维持在约0摄氏度至约50摄氏度下。

7.如权利要求1所述的方法，其中在自350KHz至100MHz的频率下并且以介于10瓦特与3000瓦特之间的功率提供所述第一RF偏压。

8.如权利要求7所述的方法，其中在自350KHz至100MHz的频率下、以介于2500瓦特与3000瓦特之间的功率提供所述第一RF偏压。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述含烃气体混合物还包括一种或多种稀释气体。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述一种或多种稀释气体包括氦、氩、氙、氢、氮、氨或其组合。

11.一种处理基板的方法，包含以下步骤：

使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，所述处理腔室具有定位于静电吸盘上的基板，其中所述静电吸盘具有吸附电极以及与所述吸附电极分开的RF电极，其中所述处理容积维持在介于0.5毫托与10毫托之间的压力下并且所述含烃气体混合物包括含烃前驱物、稀释气体和蚀刻剂气体；

通过将第一RF偏压施加于所述静电吸盘，在所述处理容积内产生等离子体，以从所述含烃混合物在所述基板上沉积碳膜，所述碳膜包含至少50％的sp³杂化碳原子。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述基板维持在自约-50摄氏度至约350摄氏度的温度下。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述蚀刻剂气体包含Cl₂、CF₄或NF₃中的一者或多者。

14.如权利要求11所述的方法，其中所述烃化合物是烷烃。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述烃化合物包括甲烷、乙烷、丙烯、丙烷、丁烷、异丁烷、戊烷、己烷、异戊烷、新戊烷、己烷、2-甲基戌烷、3-甲基戌烷、2,3-二甲基丁烷以及2,2-二甲基丁烷中的一者或其组合。

16.如权利要求11所述的方法，其中存在至少75％的sp³杂化碳原子。

17.如权利要求11所述的方法，其中所述基板的温度维持在约0摄氏度至约50摄氏度下。